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Q62703-Q1089

更新时间： 2024-09-29 22:14:39

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英飞凌 - INFINEON		光电静态存储器
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7页	69K
描述
GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters 880 nm

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Q62703-Q1089 数据手册

GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAlAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 480

SFH 481

SFH 482

Cathode (SFH 480)

Anode (SFH 216, SFH 231,

SFH 400)

Radiant

Sensitive area

(2.7)

Chip position

1.1

0.9

ø0.45

1.1

0.9

5.3

5.0

14.5

12.5

GEO06314

7.4

6.6

Approx. weight 0.5 g

Anode = SFH 481

Cathode = SFH 401

(2.7)

(package)

ø0.45

Chip position

1.1

0.9

1.1

0.9

welded

5.3

5.0

6.4

5.6

ø5.6

ø5.3

glass

lens

14.5

12.5

GET06091

Approx. weight 0.35 g

5.5

5.0

Radiant sensitive area

Chip position (2.7)

1.1

0.9

ø0.45

1.1

0.9

ø5.6

ø5.3

14.5

12.5

5.3

5.0

GET06013

Cathode (SFH 402, BPX 65)

Anode (SFH 482)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Semiconductor Group

1998-04-16

12 3 4 5 6 7

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