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Q62703-Q1093

更新时间： 2024-01-04 06:11:39

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描述
GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters 880 nm

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Q62703-Q1093 数据手册

GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden (880 nm)

GaAIAs Infrared Emitters (880 nm)

SFH 484

SFH 485

Area not flat

9.0

8.2

7.8

7.5

Cathode

0.6

0.4

5.9

5.5

1.8

1.2

0.6

0.4

5.7

5.1

Chip position

GEX06271

Approx. weight 0.5 g

Area not flat

9.0

Cathode

0.6

0.4

8.2

5.9

5.5

7.8

7.5

1.5

0.6

0.4

4.8

4.2

Chip position

GEX06305

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Fabricated in a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● SFH 484: Gehäusegleich mit LD 274

● SFH 485: Gehäusegleich mit SFH 300,

SFH 203

● Spectral match with silicon photodetectors

● SFH 484: Same package as LD 274

● SFH 485: Same package as SFH 300,

SFH 203

Anwendungen

Applications

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,

Lichtdimmern

● Gerätefernsteuerungen für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers

● Remote control for steady and varying

intensity

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4 5

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