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PUMB16,115 PDF预览

PUMB16,115

更新时间： 2024-02-13 17:41:13
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
9页 49K
描述
PEMB16; PUMB16 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kOhm, R2 = 47 kOhm TSSOP 6-Pin

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PUMB16,115 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TSSOP
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6针数：6
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.36其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：80
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
参考标准：IEC-60134表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PUMB16,115 数据手册

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PEMB16; PUMB16  
NXP Semiconductors  
PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 22 kΩ, R2 = 47 kΩ  
5. Limiting values  
Table 6.  
Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
Symbol  
Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
Unit  
Per transistor  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
VI  
collector-base voltage  
open emitter  
open base  
-
-
-
−50  
−50  
−5  
V
V
V
collector-emitter voltage  
emitter-base voltage  
input voltage  
open collector  
positive  
-
-
-
-
+7  
V
negative  
−40  
−100  
−100  
V
IO  
output current  
mA  
mA  
ICM  
Ptot  
peak collector current  
total power dissipation  
SOT363  
Tamb ≤ 25 °C  
[1]  
-
200  
mW  
mW  
°C  
[1] [2]  
SOT666  
-
200  
Tstg  
storage temperature  
junction temperature  
ambient temperature  
−65  
-
+150  
150  
Tj  
°C  
Tamb  
−65  
+150  
°C  
Per device  
Ptot  
total power dissipation  
SOT363  
Tamb ≤ 25 °C  
[1]  
-
-
300  
300  
mW  
mW  
[1] [2]  
SOT666  
[1] Device mounted on an FR4 Printed-Circuit Board (PCB), single-sided copper, tin-plated and standard  
footprint.  
[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.  
6. Thermal characteristics  
Table 7.  
Symbol  
Per transistor  
Thermal characteristics  
Parameter  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
Rth(j-a)  
thermal resistance from  
Tamb ≤ 25 °C  
junction to ambient  
[1]  
SOT363  
-
-
-
-
625  
625  
K/W  
K/W  
[1] [2]  
SOT666  
Per device  
Rth(j-a)  
thermal resistance from  
junction to ambient  
Tamb ≤ 25 °C  
[1]  
SOT363  
SOT666  
-
-
-
-
416  
416  
K/W  
K/W  
[1] [2]  
[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.  
PEMB16_PUMB16_3  
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 03 — 31 August 2009  
3 of 9  
 
 
 
 
 
 
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