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PUA3215

更新时间： 2024-02-14 21:56:50

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松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	83K
描述
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, PLASTIC, SIL, 10 PIN

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PUA3215 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T10
针数：	10	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.84	最大集电极电流 (IC)：	3 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	2 BANKS, COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	60	JESD-30 代码：	R-PSIP-T10
元件数量：	4	端子数量：	10
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	30 MHz	Base Number Matches：	1

PUA3215 数据手册

Power Transistor Arrays

PUA3215 (PU3215)

Silicon PNP epitaxial planar type

For low-voltage switching

Unit: mm

20.2 0.3

4.0 0.2

■ Features

• Low collector-emitter saturation voltage V_CE(sat)

• High-speed switching

• Large collector current I_C

• PNP 3 elements

0.8 0.25

0.5 0.15

1.0 ^0.25

2.54 0.2

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Collector-base voltage (Emitter open)

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Rating

−40

Unit

7 × 2.57 = 17.78 0.25

C 1.5 0.5

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

−20

2 3 4 5 6 7 8

−5

−10

7: Collector

8: Emitter

Peak collector current

I_CP

−15

SIP8-A1 Package

Collector power dissipation

T_a= 25°C

P_C

2.4

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= −10 mA, I_B= 0

−20

V_CB= −40 V, I_E= 0

V_EB= −5 V, I_C= 0

−50

µA



I_EBO

h_FE1

V_CE= −2 V, I_C= − 0.1 A

V_CE= −2 V, I_C= −2 A

h_FE2

260

− 0.6

−1.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

V_CE(sat)I_C= −7 A, I_B= − 0.23 A

V_BE(sat)I_C= −7 A, I_B= − 0.23 A

f_T

V_CE= −10 V, I_C= − 0.5 A, f = 10 MHz

V_CB= −10 V, I_E= 0, f = 1 MHz

150

200

MHz

Collector output capacitance

C_ob

(Common base, input open circuited)

Turn-on time

Storage time

Fall time

t_on

t_stg

t_f

I_C= −2 A

0.1

0.5

0.1

µs

I_B1= −66 mA, I_B2= 66 mA

V_CC= −20 V

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

■ Internal Connection

Note) The part number in the parenthesis shows conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00025AED

12 3

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