WUXI UNIGROUP (无锡紫光微) 更新时间：2024-04-09 19:01:56
无锡紫光微电子有限公司 是紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司（简称“紫光国微”，股票代码：002049）半导体产业链中的核心企业之一，专注于先进半导体功率器件的研发和销售。公司依托紫光雄厚的资本平台，不断强化技术优势，以高性能的半导体功率器件产品以及优质的服务，成为行业客户值得信赖的合作伙伴。 公司的团队是由一批在著名半导体公司工作多年的具有丰富产品设计、经营管理经验的成员组成，不仅掌握了先进的产品研发与生产技术，而且拥有丰富的半导体公司经营管理经验。公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力/电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。 公司将秉承“用我们的努力和出色的产品服务客户，造福社会”的企业宗旨，将高水平的先进技术与中国市场相结合，打破国外企业高压大功率器件在国内的垄断，并致力在功率半导体领域成为技术先进、品质一流的专业的品牌供应商，为客户提供高性价比的产品与全方位的服务。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| TTP135N68A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 |  |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTD180N02GT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTP55N12A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTK8205 | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTP160N03GT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTG20P03ATC | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPU60R1K7C | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 | ||
| TPW60R028DFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 | ||
| TPA60R170MFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TPR60R110M | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TSB15N06A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子栅 | 通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大 | |
| TTX2N7002KA | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPA60R600MFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TPD60R600MFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TTP160N03AT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TSJ12N06AT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子栅 | 通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计， 紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大 | |
| TTP95N68A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTB95N68A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPD60R1K5MFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TTG65N04AT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTD50N03Q | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPA65R400MFD | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
电子 | Multi-EPI超结功率MOSFET(Multi-EPI Super Junction | |
| TTD150N02GT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTD65N04AT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTG120N03AT | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPU50R5K4C | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 | ||
| TTG60N03QTC | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TTP115N68A | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
栅 | Trench MOS这种新型垂直结构器件在VDMOS的基础上发展起来，和VDMOS相比，T | |
| TPD60R7K5C | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
超结功率 MOSFET（Super Junction MOSFET）是一种新型功率器件，采 | ||
| TPU60R7K5C | WUXI UNIGROUP | 获取价格 | |
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