Datasheet > TSB15N06A

TSB15N06A

更新时间： 2024-11-28 17:01:39

品牌	Logo	应用领域
无锡紫光微 - WUXI UNIGROUP		电子栅
页数	文件大小	规格书
7页	512K
描述
通过采用最先进的沟槽栅工艺技术和完美的结构设计，紫光微电子的MOSFET实现功率密度最大化，从而大幅度降低电流传导过程中的导通功率损耗。同时，电流在芯片元胞当中的流通会更加均匀稳定，其有效

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

TSB15N06A 数据手册

TSB15N06A

Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd.

60V N-Channel DTMOS

Product Summary

General Description

60V

 Trench Power SGT technology

 Very low on-resistance R_DS(ON)

 Low Gate Charge

ID (at VGS=10V)

RDS(ON) (at VGS=10V)

180A

< 3mΩ

 Excellent Gate Charge x R_DS(ON)Product

100% UIS Tested

Applications

 High Frequency Switching and Synchronous Rectification

TO-263

Device

Package

Form

Marking

B15N06A

TSB15N06A

TO-263

Tape&Reel

Absolute Maximum Ratings (T_A=25ºC unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V_DS

V_GS

Maximum

Units

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

180

T_C= 25ºC

Continuous Drain Current

I_D

T_C= 100ºC

108

Pulsed Drain Current

I_DM

I_AS

720

Avalanche Current

Single Pulse Avalanche Energy

L =0.3mH

E_AS

609

ºC

T_C=25ºC

208

Power Dissipation

P_D

T_C=100ºC

125

Operating Junction and Storage Temperature Range

T_J, T_stg

-55 to 175

Thermal Resistance

Parameter

Symbol

Maximum

Units

Maximum Junction-to-Case

Steady-State

R_thJC

R_thJA

0.6

ºC/W

Maximum Junction-to-Ambient

V1.0

www.tsinghuaicwx.com

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与TSB15N06A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
TSB15U	SPSEMI	获取价格	TSB(480W) Series
TSB16	SURGE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB16055X	MICROSEMI	获取价格	Transistor
TSB16055Y	MICROSEMI	获取价格	Transistor
TSB16055Z	MICROSEMI	获取价格	Transistor
TSB160A	SURGE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB160C	SURGE	获取价格	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA,
TSB1664CY	TSC	获取价格	Low Frequency NPN Transistor
TSB1664CYP	TSC	获取价格	Low Frequency NPN Transistor
TSB1664CYQ	TSC	获取价格	Low Frequency NPN Transistor