FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间：2023-05-12 18:24:30
富士电机自1923年成立以来，在这100年的漫长历史中，不断革新能源和环境技术，在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久，可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中，在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时，我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模，每年保持快速增长的中国，也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机（中国）依托创业以来积累的技术和经验，追求电力、热能技术的革新，通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品，为中国社会的发展贡献自身的力量。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| 2SK1082-01 | FUJI | 获取价格 |  |
晶体晶体管局域网 | N-Channel Silicon Power MOS-FET | |
| 2SK2081-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-channel MOS-FET | |
| 1MBH05D-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管双极性晶体管局域网 | Ratings and characteristics of Fuji IGBT | |
| 1MB05D-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管双极性晶体管 | Fuji Discrete Package IGBT | |
| 1MBH05D-060 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网 | Ratings and characteristics of Fuji IGBT | |
| 1MBG05D-060 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅 | Fuji Discrete Package IGBT | |
| 1MBC05D-060 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网 | Fuji Discrete Package IGBT | |
| 1MB03D-120 | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Fuji Discrete Package IGBT | |
| 1MBH03D-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管双极性晶体管栅局域网 | Ratings and characterisitcs Fuji IGBT | |
| 2SK2028-01MR | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK2027-01 | FUJI | 获取价格 | |
N-channel MOS-FET | ||
| 2SK2022-01M | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲高压局域网 | N-channel MOS-FET | |
| EN201D-20A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| EN201D-14A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| EN201D-10A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| EN201D-07A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| EN201D-05A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| ENE201D-05A | FUJI | 获取价格 | |
Z-TRAP ENE(Nominal varistor voltage 200 to 470V | ||
| 2SK2019-01 | FUJI | 获取价格 | |
N-channel MOS-FET | ||
| 2SK2018-01S | FUJI | 获取价格 | |
N-channel MOS-FET | ||
| 2SK2018-01L | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管局域网 | N-channel MOS-FET | |
| 2SK2018-01 | FUJI | 获取价格 | |
N-channel MOS-FET | ||
| 2SK1017-01 | FUJI | 获取价格 | |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | ||
| 2SK1014-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2SK1013-01 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管开关脉冲高压局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| 2DI100Z-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管 | POWER TRANSISTOR MODULE | |
| 1DI300Z-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管 | POWER TRANSISTOR MODULE | |
| 1DI200Z-120 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管 | POWER TRANSISTOR MODULE | |
| 2DI100Z-100 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管 | POWER TRANSISTOR MODULE | |
| 1DI300Z-100 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管 | POWER TRANSISTOR MODULE | |
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