FUJI品牌介绍,FUJI产品选型手册大全-捷配DataSheet查询网

您的位置：主页> 品牌列表> FUJI

FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间：2023-05-05 07:26:18

富士电机自1923年成立以来，在这100年的漫长历史中，不断革新能源和环境技术，在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久，可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。如今的国际社会中，在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时，我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模，每年保持快速增长的中国，也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。富士电机（中国）依托创业以来积累的技术和经验，追求电力、热能技术的革新，通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品，为中国社会的发展贡献自身的力量。

官网地址 >

型号	品牌	价格	文档	应用	描述

ESJA54-06	FUJI	获取价格		二极管	Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 6000V V(RRM), Silicon

ESJA37-24	FUJI	获取价格		二极管	Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 24000V V(RRM),

6MB175S-140	FUJI	获取价格		局域网栅晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 100A I(C), 1400V V(BR)CES, N-Channel

YG226S6	FUJI	获取价格		快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, TO-220, PLASTIC, TO-220F, 2

2DI100A-140	FUJI	获取价格		局域网晶体管	Power Bipolar Transistor, 100A I(C), 1400V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox

EGH16-16	FUJI	获取价格		栅栅极	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 Element

EGH16-12	FUJI	获取价格		栅栅极	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element

EGH16-10	FUJI	获取价格		栅栅极	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element

EGH16-08	FUJI	获取价格		栅栅极	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element

EGH16-06	FUJI	获取价格		栅栅极	Silicon Controlled Rectifier, 117.75A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

2SK1659-S	FUJI	获取价格		开关脉冲晶体管	Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 900V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

ESAD39M-06N	FUJI	获取价格		快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 600V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

FML19N50G	FUJI	获取价格		开关脉冲光电二极管晶体管	Power Field-Effect Transistor, 1.4A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me

1MBI2400VS-170E	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor

ESAC39M-04D	FUJI	获取价格		快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, SC-67, 3 PIN

ESAC39M-06N	FUJI	获取价格		快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 600V V(RRM), Silicon, SC-67, 3 PIN

EQA01-25R	FUJI	获取价格		测试二极管	Zener Diode, 25V V(Z), 10%, 0.5W

2MBI300N-120-01C	FUJI	获取价格		局域网栅功率控制晶体管	Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MODULE-7

ESAC33(CS)	FUJI	获取价格		软恢复二极管快速软恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB,

FMB80N10T2	FUJI	获取价格		开关脉冲晶体管	Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 100V, 0.0128ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

ESAD39M-04N	FUJI	获取价格		快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 10A, 400V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-3

7MBR100VB060-50	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor,

1FI250B120	FUJI	获取价格		二极管	Rectifier Diode, 1 Element, 250A, 1200V V(RRM),

7MBR150VZ120-50	FUJI	获取价格		栅	Insulated Gate Bipolar Transistor, 150A I(C), 1200V V(BR)CES

F5045P	FUJI	获取价格		开关光电二极管晶体管	Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 0.6ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide

YG339N4	FUJI	获取价格		高压快速恢复二极管局域网	Rectifier Diode, 1 Phase, 2 Element, 5A, 400V V(RRM), Silicon, SC-67, 3 PIN

1DI200A-140	FUJI	获取价格		局域网晶体管	Power Bipolar Transistor, 200A I(C), 1400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epox

ESJA58-06	FUJI	获取价格		二极管	Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 6000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2

SS101C-3Z-D3/V	FUJI	获取价格		输出元件光电	Transistor Output SSR, 1-Channel, 2000V Isolation

SS101C-3Z-A2/V	FUJI	获取价格		输出元件光电	Transistor Output SSR, 1-Channel, 2000V Isolation