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F5045P PDF预览

F5045P

更新时间： 2024-02-23 06:07:27
品牌 Logo 应用领域
富士电机 - FUJI 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 262K
描述
Power Field-Effect Transistor, 1A I(D), 0.6ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

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F5045P 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：SOT
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.76配置：COMPLEX
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：0.6 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G8
元件数量：2端子数量：8
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

F5045P 数据手册

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http://www.fujisemi.com  
FUJI High-side IPS  
F5045P  
High-side Intelligent Power Switch  
Features  
Outline drawings [mm]  
Connection  
• Low minimum operating voltage(min.3V)  
• Low stand by current  
SOP-8  
• Two input terminals (for on state hold)  
• Over current detection  
• Over temperature shutdown  
• High speed switching  
Applications  
• Main relay driver  
Maximum ratings and characteristics  
Absolute maximum ratings (at Tc=25˚C)  
Description  
Symbol  
Characteristics  
Unit  
V
Remarks  
50  
33  
Pulse 0.25 sec  
Supply voltage  
Vcc  
V
DC  
*
Continuous drain current  
Input voltage  
I
D
1.0  
A
V
P
IN  
D
-0.3~Vcc+0.3  
1.5  
V
DC  
*
Maximum power dissipation  
Operating junction temperature  
Storage temperature range  
W
˚C  
˚C  
Tj  
150  
–
Tstg  
-55~150  
–
Tj=150˚C, L=50mH, Single pulse,  
dv/dt≤10V/us  
Single pulse inductive load switch-off energy dissipation  
ECL  
25  
mJ  
* Surface mounted on 1000mm2 PCB(FR-4)  
Electrical characteristics (at Tc=25˚C, unless otherwise specified.)  
Description  
Symbol  
Conditions  
=26Ω  
min.  
typ.  
–
max.  
33  
Unit  
V
Operating voltage  
Standby current  
Vcc**  
R
L
2.87  
I
cc  
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
V
cc=13V, R  
cc=3~5V  
cc=3~5V  
cc>5V  
L
=26Ω, VIN1=VIN2=0V  
–
–
130  
–
μA  
V
V
V
V
V
IN(H)  
IN(L)  
IN(H)  
IN(L)  
0.7xVcc  
–
–
3.5  
–
–
0.3xVcc  
–
V
Input voltage  
–
V
cc>5V  
–
1.5  
100  
100  
0.6  
80  
V
Input current 1  
I
I
IN(H)1  
IN(H)2  
cc=13V, VIN1=5V  
cc=13V, VIN2=5V  
–
–
μA  
μA  
Ω
Input current 2  
–
–
On-state resistance  
Output leakeage current  
Over current detection  
Over-temperature shutdown  
Turn-on time  
R
DS(on)  
cc=13V, I  
cc=13V  
cc=13V  
cc=13V  
L=0.5A  
–
–
I
OL  
–
–
μA  
A
I
OC  
2
–
–
T
trip  
150  
–
–
–
˚C  
μs  
μs  
V
Ton  
cc=13V, R  
L
=26Ω  
=26Ω  
=0.5A, VIN1  
–
120  
40  
Turn-off time  
Toff  
cc=13V, R  
L
–
–
Output-clamp voltage  
Diode forward on-voltage  
V
clamp***  
SD  
cc=13V, I  
L
V
IN2 0V, L=10mH  
＝
-(50-Vcc  
)
–
-(60-Vcc  
)
＝
V
IN1  
＝
V
IN2 0V, ISD=-1A  
＝
–
–
1.5  
V
** Minimum of operating voltage is difined as the voltage of RDS(on) = 2.45Ω  
*** <Output-clamp voltage: Vclamp> 50V≤VCC+Vclamp≤60V (Tc=25˚C)  
Vcc  
0V  
Vclamp  
1
123456

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