FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间:2022-03-13 15:41:14
富士电机自1923年成立以来,在这100年的漫长历史中,不断革新能源和环境技术,在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久,可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中,在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时,我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模,每年保持快速增长的中国,也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机(中国)依托创业以来积累的技术和经验,追求电力、热能技术的革新,通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品,为中国社会的发展贡献自身的力量。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
7MBR50VR120-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网栅功率控制晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, CO | |
ERE76-005 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
快速恢复二极管 | Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 30A, 50V V(RRM), Silicon, | |
ESJA86-24 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 24000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
SC211-4-TE12LA | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon | |
SC211-4-TE12RA | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 400V V(RRM), Silicon | |
SC211-2-TE12LA | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.8A, 200V V(RRM), Silicon | |
2MBI300VH-170-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网电动机控制栅晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 300A I(C), 1700V V(BR)CES, N-Channel, M276, 7 PIN | |
FMU03N60G | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 600V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
FMW21N60GSC-K1 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
FMW21N60GSC | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 21A I(D), 600V, 0.37ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
EV1234M | FUJI | 获取价格 | ![]() |
Transistor, | ||
ENC471K-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 385V, 80J, CHASSIS MOUNT | |
ENC471C-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 385V, 80J, CHASSIS MOUNT | |
ENC391K-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320V, 70J, CHASSIS MOUNT | |
ENC391C-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 320V, 70J, CHASSIS MOUNT | |
ENC271K-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 225V, 50J, CHASSIS MOUNT | |
ENC221K-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 180V, 40J, CHASSIS MOUNT | |
ENC221C-14A | FUJI | 获取价格 | ![]() |
电阻器 | RESISTOR, VOLTAGE DEPENDENT, 180V, 40J, CHASSIS MOUNT | |
ENS067-13 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Silicon Surge Protector, 75V V(BO) Max, 100A | |
7MBR50VY120-50 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网栅功率控制晶体管 | Insulated Gate Bipolar Transistor, 50A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT PAC | |
7MBR75VJC120-53 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
1MBI2400VD-170E | FUJI | 获取价格 | ![]() |
栅 | Insulated Gate Bipolar Transistor | |
SL012 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), | |
ESJA18-20 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.0015A, 20000V V(RRM), | |
YG872C15R | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网二极管 | Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 150V V(RRM), Silicon, TO-220AB, TO-220F, 3 | |
FA5502P | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Power Factor Controller, Current-mode, 1.5A, 150kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDIP16, DIP- | |
FA5502M | FUJI | 获取价格 | ![]() |
光电二极管 | Power Factor Controller, Current-mode, 1.5A, 150kHz Switching Freq-Max, CMOS, PDSO16, SOP- | |
FMH16N50E | FUJI | 获取价格 | ![]() |
局域网开关脉冲晶体管 | Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 500V, 0.38ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met | |
ESJA56-24 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
二极管 | Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 24000V V(RRM), Silicon, PLASTIC PACKAGE-2 | |
ESJA54-08 | FUJI | 获取价格 | ![]() |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.005A, 8000V V(RRM), Silicon |
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