NUMONYX品牌介绍,NUMONYX产品选型手册大全-捷配DataSheet查询网

您的位置：主页> 品牌列表> NUMONYX

NUMONYX B.V (恒忆) 更新时间：2023-10-28 01:17:10

藉由收购 Numonyx 增添了Micron创新产品组合的广度，并强化了我们的能力以满足您对存储器的需求。事实上，我们相信两家专业存储器公司的结合与精进，并汇集了数十年的工程创新技术会提供您更多的选择和弹性。当然，为实现这次收购的效益，需要对团队，营运和支持网络进行全面整合 —这个过程需要一段时间才能完成。虽然我们已经启动整合规划，但是仍还有许多任务待执行。我们将尽力使整个过程无缝实现。作为一家联合公司，我们对客户，产品和市场的承诺不会改变，对客户未来产品的需求的支持也一如既往。

官网地址 >

型号	品牌	价格	文档	应用	描述

NAND08GW4B2DN6E	NUMONYX	获取价格		闪存	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CZL6F	NUMONYX	获取价格		闪存存储	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CZL6E	NUMONYX	获取价格		闪存	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CZL1F	NUMONYX	获取价格		闪存	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CZL1E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CN6F	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CN6E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CN1F	NUMONYX	获取价格		闪存内存集成电路光电二极管	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2CN1E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW4B2C	NUMONYX	获取价格		闪存	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

NAND08GW3C4BZL6F	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4BZL6E	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4BN6F	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4BN6E	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4BN1F	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4BN1E	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AZL6F	NUMONYX	获取价格		闪存	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AZL6E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AN6F	NUMONYX	获取价格		闪存	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AN6E	NUMONYX	获取价格		闪存内存集成电路光电二极管 ISM频段	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AN1F	NUMONYX	获取价格		闪存	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C4AN1E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BZL6F	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BZL6E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BN6F	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BN6E	NUMONYX	获取价格		闪存内存集成电路光电二极管	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BN1F	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2BN1E	NUMONYX	获取价格		闪存存储内存集成电路光电二极管	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3C2B	NUMONYX	获取价格		闪存	8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

NAND08GW3B4DZL6F	NUMONYX	获取价格		闪存	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash