Datasheet > 存储 > 闪存> NAND08GW4B2CZL1F

NAND08GW4B2CZL1F

更新时间： 2024-11-26 04:57:39

品牌	Logo	应用领域
恒忆 - NUMONYX		闪存
页数	文件大小	规格书
69页	1707K
描述
4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

NAND08GW4B2CZL1F 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	LGA
包装说明：	VBGA,	针数：	52
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.51
最长访问时间：	25000 ns	JESD-30 代码：	R-PBGA-B52
长度：	17 mm	内存密度：	8589934592 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	52
字数：	536870912 words	字数代码：	512000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	VBGA
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	0.65 mm
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	BALL	端子节距：	1 mm
端子位置：	BOTTOM	类型：	SLC NAND TYPE
宽度：	12 mm

NAND08GW4B2CZL1F 数据手册

NAND04G-B2D, NAND08G-BxC

4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page

multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash memories

Preliminary Data

Features

■ High density NAND Flash Memory

– Up to 8 Gbit memory array

– Cost-effective solution for mass storage

applications

■ NAND interface

TSOP48 12 x 20 mm (N)

– x8 or 16x bus width

– Multiplexed address/data

LGA

■ Supply voltage: 1.8 V or 3.0 V device

■ Page size

LGA52 12 x 17 mm (ZL)

– x8 device: (2048 + 64 spare) bytes

– x16 device: (1024 + 32 spare) words

■ Data protection:

■ Block size

– Hardware program/erase disabled during

power transitions

– x8 device: (128K + 4 K spare) bytes

– x16 device: (64K + 2 K spare) words

– Non-volatile protection option

■ ONFI 1.0 compliant command set

■ Data integrity

■ Multiplane architecture

– Array split into two independent planes

– Program/erase operations can be

– 100 000 program/erase cycles (with ECC

(error correction code))

performed on both planes at the same time

■ Page read/program

– 10 years data retention

– Random access: 25 µs (max)

– Sequential access: 25 ns (min)

– Page program time: 200 µs (typ)

■ ECOPACK packages

Table 1.

Device Summary

Part number

– Multiplane page program time (2 pages):

200 µs (typ)

Reference

NAND04GR3B2D

NAND04GW3B2D

NAND04GR4B2D⁽¹⁾

NAND04GW4B2D⁽¹⁾

NAND08GR3B2C,

NAND08GW3B2C

NAND08GR4B2C⁽¹⁾

NAND08GW4B2C⁽¹⁾

NAND08GR3B4C

NAND08GW3B4C

■ Copy back program with automatic error

detection code (EDC)

NAND04G-B2D

NAND08G-BxC

■ Cache read mode

■ Fast block erase

– Block erase time: 1.5 ms (typ)

– Multiblock erase time (2 blocks):

1.5 ms (typ)

■ Status Register

■ Electronic signature

■ Chip Enable ‘don’t care’

■ Serial number option

1. x16 organization only available for MCP products.

December 2007

Rev 3

1/69

This is preliminary information on a new product now in development or undergoing evaluation. Details are subject to

change without notice.

www.numonyx.com

12 3 4 5 6 7...69

中文翻译

下载PDF

与NAND08GW4B2CZL1F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
NAND08GW4B2CZL6E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2CZL6F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DN1E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DN1F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DN6E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DN6F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DZL1E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DZL1F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DZL6E	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash
NAND08GW4B2DZL6F	NUMONYX	获取价格	4 Gbit, 8 Gbit, 2112 byte/1056 word page multiplane architecture, 1.8 V or 3 V, NAND Flash

与NAND08GW4B2CZL1F相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

45
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

34
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

62
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

59

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NAND08GW4B2CZL1F

NAND08GW4B2CZL1F 技术参数

NAND08GW4B2CZL1F 数据手册

与NAND08GW4B2CZL1F相关器件

与NAND08GW4B2CZL1F相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

NAND08GW4B2CZL1F

NAND08GW4B2CZL1F 技术参数

NAND08GW4B2CZL1F 数据手册

与NAND08GW4B2CZL1F相关器件

与NAND08GW4B2CZL1F相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？