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NAND08GW3C4AN6F

更新时间： 2024-10-27 04:57:39
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恒忆 - NUMONYX 闪存
页数 文件大小 规格书
58页 1398K
描述
8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory

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NAND08GW3C4AN6F 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：12 X 20 MM, LEAD FREE, PLASTIC, TSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.49
最长访问时间：60000 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：18.4 mm内存密度：8589934592 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：48
字数：1073741824 words字数代码：1000000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1GX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：PARALLEL编程电压：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：INDUSTRIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NAND TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

NAND08GW3C4AN6F 数据手册

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NAND08GW3C2A  
NAND16GW3C4A  
8/16 Gbit, 2112 byte page,  
3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory  
Features  
■ High density multilevel cell (MLC) Flash  
memory  
– Up to 16 Gbit memory array  
– Up to 512 Mbit spare area  
– Cost-effective solutions for mass storage  
applications  
■ NAND interface  
TSOP48 12 x 20 mm (N)  
– x 8 bus width  
– Multiplexed address/data  
■ Supply voltage: V = 2.7 to 3.6 V  
DD  
■ Page size: (2048 + 64 spare) bytes  
■ Block size: (256K + 8K spare) bytes  
LGA52 12 x 17 mm (N)  
■ Multiplane architecture  
– Array split into two independent planes  
– Program/erase operations can be  
■ Data protection  
performed on both planes at the same time  
– Hardware program/erase locked during  
power transitions  
■ Page read/program  
– Random access: 60 µs (max)  
– Sequential access: 25 ns (min)  
– Page program operation time: 800 µs (typ)  
■ Development tools  
– Error correction code models  
– Bad block management and wear leveling  
algorithm  
■ Multipage program time (2 pages): 800 µs (typ)  
– HW simulation models  
■ Fast block erase  
■ Data integrity  
– Block erase time: 2.5 ms (typ)  
– 10,000 program/erase cycles (with ECC)  
– 10 years data retention  
■ Multiblock erase time (2 blocks): 2.5 ms (typ)  
■ Status register  
®
■ ECOPACK packages available  
■ Electronic signature  
■ Serial number option  
■ Chip enable ‘don’t care’  
January 2008  
Rev 2  
1/58  
www.numonyx.com  
1
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与NAND08GW3C4AN6F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NAND08GW3C4AZL1E NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4AZL1F NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4AZL6E NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4AZL6F NUMONYX

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 		8/16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4BN1E NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4BN1F NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4BN6E NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4BN6F NUMONYX

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 		8 or 16 Gbit, 2112 byte page, 3 V supply, multilevel, multiplane, NAND Flash memory
NAND08GW3C4BZL1E NUMONYX

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