ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间:2023-12-13 10:21:45
Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立,总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM:包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造,最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术,几乎没有静态功率消耗。DRAM:包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术:Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品,用于计算机、通讯、海量存储等领域。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
AS4C256K16F0-50TI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
AS4C256K16F0-50JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
AS4C256K16F0-30TI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
AS4C256K16F0-25TC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
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动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
AS4C256K16F0-25JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode) | |
AS4C1M16E5-60TI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
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动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-60JI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-60JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-50TI | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-50TC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-50JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-45TC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5-45JC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C1M16E5 | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 5V 1M×16 CMOS DRAM (EDO) | |
AS4C14405-70TC | ALSC | 获取价格 | ![]() |
动态存储器 | 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) | |
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存储内存集成电路光电二极管动态存储器 | 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) | |
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动态存储器 | 1M-bit × 4 CMOS DRAM (Fast page mode or EDO) |
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