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ALLIANCE SEMICONDUCTOR CORPORATION 更新时间：2023-12-19 17:07:20

Alliance公司设计、生产、销售高性能存储器及存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、仪器等领域。公司1985年成立，总部设在美国加利佛尼亚州。公司的产品线包括SRAM、DRAM、快闪存储器、嵌入存储器和逻辑。SRAM：包括同步SRAM、快异步SRAM、低功耗SRAM。采用0.35-0.18微米CMOS工艺制造，最新的SRAM产品应用了六晶体管超低功率IntelliwattTM技术，几乎没有静态功率消耗。DRAM：包括EDO和同步DRAM等。嵌入存储技术：Alliance公司能够提供一系列存储器扩展逻辑产品，用于计算机、通讯、海量存储等领域。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

AS4LC4M4F1-60JC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器	4M×4 CMOS DRAM (Fast Page) 3.3V Family

AS4LC4M4F1-50TI	ALSC	获取价格		动态存储器	4M×4 CMOS DRAM (Fast Page) 3.3V Family

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AS4LC4M4F1-50JC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器	4M×4 CMOS DRAM (Fast Page) 3.3V Family

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AS4LC2M8S1-7TC	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM

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AS4LC256K16EO-60TC	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4LC256K16EO-45TC	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4LC256K16EO-35	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)

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AS4LC256K16E0-45JC	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)

AS4LC256K16E0-35JC	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 256K X 16 CMOS DRAM (EDO)

AS4LC1M16S1-7TC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM

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AS4LC1M16S0-10TC	ALSC	获取价格		存储内存集成电路光电二极管动态存储器时钟	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM

AS4LC1M16S0	ALSC	获取价格		动态存储器	3.3V 2M × 8/1M × 16 CMOS synchronous DRAM

AS4C256K16FO-50TI	ALSC	获取价格		动态存储器	5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

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AS4C256K16FO-50JI	ALSC	获取价格		动态存储器	5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

AS4C256K16FO-50JC	ALSC	获取价格		动态存储器	5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)

AS4C256K16FO	ALSC	获取价格		动态存储器	5V 256K X 16 CMOS DRAM (Fast Page Mode)