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PR1002G-13

更新时间: 2024-10-01 15:48:15
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 60K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 100V V(RRM), Silicon, DO-41

PR1002G-13 技术参数

生命周期:Active包装说明:O-PALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.32
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-41JESD-30 代码:O-PALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最大输出电流:1 A封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:100 V
最大反向恢复时间:0.15 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

PR1002G-13 数据手册

  

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