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PMR370XN,115

更新时间： 2024-02-06 22:06:33

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	86K
描述
N-channel TrenchMOS extremely low level FET SC-75 3-Pin

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PMR370XN,115 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	PLASTIC, SC-75, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.2
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.84 A	最大漏极电流 (ID)：	0.84 A
最大漏源导通电阻：	0.44 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.53 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PMR370XN,115 数据手册

PMR370XN

N-channel µTrenchMOS™ extremely low level FET

M3D173

Rev. 01 — 3 March 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Surface mounted package

■ Low on-state resistance

■ Footprint 63% smaller than SOT23

■ Low threshold voltage.

1.3 Applications

■ Driver circuits

■ Switching in portable appliances.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 30 V

■ I_D≤ 0.84 A

■ P_tot≤ 0.53 W

■ R_DSon≤ 440 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT416 (SC-75), simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

MBB076

Top view

MBK090

SOT416 (SC-75)

3. Ordering information

Table 2:

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Plastic surface mounted package; 3 leads

Version

PMR370XN

SC-75

SOT416

12 3 4 5 6 7...12

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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