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PMR370XN

更新时间： 2024-02-27 05:08:03

品牌	Logo	应用领域
飞利浦 - PHILIPS		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	79K
描述
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

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PMR370XN 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.71	配置：	Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.84 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码：	e3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	0.53 W	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

PMR370XN 数据手册

PMR370XN

N-channel µTrenchMOS™ extremely low level FET

M3D173

Rev. 01 — 3 March 2004

Product data

1. Product proﬁle

1.1 Description

N-channel enhancement mode ﬁeld-effect transistor in a plastic package using

TrenchMOS™ technology.

1.2 Features

■ Surface mounted package

■ Low on-state resistance

■ Footprint 63% smaller than SOT23

■ Low threshold voltage.

1.3 Applications

■ Driver circuits

■ Switching in portable appliances.

1.4 Quick reference data

■ V_DS≤ 30 V

■ I_D≤ 0.84 A

■ P_tot≤ 0.53 W

■ R_DSon≤ 440 mΩ.

2. Pinning information

Table 1:

Pinning - SOT416 (SC-75), simpliﬁed outline and symbol

Description

gate (g)

Simpliﬁed outline

Symbol

source (s)

drain (d)

MBB076

Top view

MBK090

SOT416 (SC-75)

3. Ordering information

Table 2:

Ordering information

Type number

Package

Name

Description

Plastic surface mounted package; 3 leads

Version

PMR370XN

SC-75

SOT416

12 3 4 5 6 7...12

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PMR370XN 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
PMR370XN,115	NXP	功能相似	N-channel TrenchMOS extremely low level FET SC-75 3-Pin

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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