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PMBZ5249B

更新时间: 2024-09-30 22:44:23
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恩智浦 - NXP 稳压二极管测试光电二极管
页数 文件大小 规格书
12页 70K
描述
Voltage regulator diodes

PMBZ5249B 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.84
其他特性:TEMPERATURE COEFFICIENT IS TYPICAL配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:0.25 W
认证状态:Not Qualified标称参考电压:19 V
最大反向电流:0.1 µA子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
电压温度Coeff-Max:14.82 mV/ °C最大电压容差:5%
工作测试电流:6.6 mABase Number Matches:1

PMBZ5249B 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
PMBZ5226B to PMBZ5257B  
Voltage regulator diodes  
1999 May 17  
Product specification  
Supersedes data of 1996 Apr 26  

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