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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> PHD34NQ10T
PHD34NQ10T PDF预览

PHD34NQ10T

更新时间： 2024-01-09 19:43:57
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
12页 118K
描述
N-channel TrenchMOS transistor

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PHD34NQ10T 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Transferred
Reach Compliance Code：not_compliant风险等级：5.76
Is Samacsys：N配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
湿度敏感等级：1工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：136 W子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YESBase Number Matches：1

PHD34NQ10T 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
N-channel TrenchMOS transistor  
PHP34NQ10T, PHB34NQ10T  
PHD34NQ10T  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
d
• ’Trench’ technology  
• Low on-state resistance  
• Fast switching  
VDSS = 100 V  
ID = 35 A  
• Low thermal resistance  
g
RDS(ON) ≤ 40 mΩ  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.  
Applications:-  
• d.c. to d.c. converters  
• switched mode power supplies  
The PHP34NQ10T is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB34NQ10T is supplied in the SOT404 (D2PAK) surface mounting package.  
The PHD34NQ10T is supplied in the SOT428 (DPAK) surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404 (D2PAK)  
SOT428 (DPAK)  
tab  
tab  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
gate  
2
drain 1  
source  
2
2
3
1 2 3  
1
3
1
3
tab drain  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
100  
100  
± 20  
35  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 100 ˚C; VGS = 10 V  
Tmb = 25 ˚C  
25  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
140  
136  
175  
Tmb = 25 ˚C  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin:2 of the SOT404 or SOT428 packages.  
August 1999  
1
Rev 1.000  
1234567...12

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PHD34NQ10T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PHD34NQ10T,118 NXP

类似代替

 N-channel TrenchMOS standard level FET DPAK 3-Pin

与PHD34NQ10T相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHD34NQ10T,118 NXP

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PHD36N03LT NXP

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 		N-channel TrenchMOS logic level FET
PHD37N06LT NXP

获取价格

 		TrenchMOS transistor Logic level FET
PHD37N06LT,118 NXP

获取价格

 		PHD37N06LT
PHD37N06LT/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 37 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power
PHD38999/20 ITT

获取价格

 		MIL Series Connector, Female; Male, Receptacle
PHD38999/20FB2PB ITT

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 		MIL Series Connector, 2 Contact(s), Male, Receptacle
PHD38999/20FB2PC ITT

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 		MIL Series Connector, 2 Contact(s), Male, Receptacle
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