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PHD37N06LT/T3

更新时间： 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 115K
描述
TRANSISTOR 37 A, 55 V, 0.035 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, FET General Purpose Power

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PHD37N06LT/T3 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.84其他特性：LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：45 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：55 V
最大漏极电流 (ID)：37 A最大漏源导通电阻：0.035 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：148 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON

PHD37N06LT/T3 数据手册

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Philips Semiconductors  
Product specification  
TrenchMOS transistor  
Logic level FET  
PHP37N06LT, PHB37N06LT, PHD37N06LT  
FEATURES  
SYMBOL  
QUICK REFERENCE DATA  
• ’Trench’ technology  
• Very low on-state resistance  
• Fast switching  
• Stable off-state characteristics  
• High thermal cycling performance  
• Low thermal resistance  
VDSS = 55 V  
d
ID = 37 A  
R
DS(ON) ≤ 35 mΩ (VGS = 5 V)  
g
RDS(ON) ≤ 32 mΩ (VGS = 10 V)  
s
GENERAL DESCRIPTION  
N-channel enhancement mode, logic level, field-effect power transistor in a plastic envelope using ’trench’ technology.  
The device has very low on-state resistance. It is intended for use in dc to dc converters and general purpose switching  
applications.  
The PHP37N06LT is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package.  
The PHB37N06LT is supplied in the SOT404 surface mounting package.  
The PHD37N06LT is supplied in the SOT428 surface mounting package.  
PINNING  
SOT78 (TO220AB)  
SOT404  
SOT428  
PIN  
1
DESCRIPTION  
tab  
tab  
tab  
gate  
2
drain1  
source  
3
2
2
tab drain  
1
3
1
3
1 2 3  
LIMITING VALUES  
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)  
SYMBOL PARAMETER  
CONDITIONS  
MIN.  
MAX.  
UNIT  
VDSS  
VDGR  
VGS  
ID  
Drain-source voltage  
Drain-gate voltage  
Gate-source voltage  
Continuous drain current  
Tj = 25 ˚C to 175˚C  
Tj = 25 ˚C to 175˚C; RGS = 20 kΩ  
-
-
-
-
-
-
-
55  
55  
± 13  
37  
V
V
V
A
A
A
W
˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 100 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
Tmb = 25 ˚C  
26  
IDM  
PD  
Tj, Tstg  
Pulsed drain current  
Total power dissipation  
Operating junction and  
storage temperature  
148  
100  
175  
- 55  
1 It is not possible to make connection to pin 2 of the SOT428 or SOT404 packages.  
September 1998  
1
Rev 1.400  
1234567...12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PHD38999/20 ITT

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