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PF38F5070M0Y1CE

更新时间： 2024-02-13 06:40:18

品牌	Logo	应用领域
英特尔 - INTEL		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
71页	1607K
描述
Memory Circuit, Flash+PSRAM, Hybrid, PBGA105

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PF38F5070M0Y1CE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FBGA, BGA105,9X12,32	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.84	最长访问时间：	96 ns
JESD-30 代码：	R-PBGA-B105	内存集成电路类型：	MEMORY CIRCUIT
混合内存类型：	FLASH+PSRAM	端子数量：	105
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	FBGA
封装等效代码：	BGA105,9X12,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY, FINE PITCH	电源：	1.8 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Other Memory ICs	标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V
表面贴装：	YES	技术：	HYBRID
端子形式：	BALL	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	BOTTOM	Base Number Matches：	1

PF38F5070M0Y1CE 数据手册

Intel StrataFlash Cellular Memory (M18)

Datasheet

Product Features

High-Performance Read, Program and Erase

Power

— Core voltage: 1.7 V - 2.0 V

— 96 ns initial read access

— 512-Mbit, 1-Gbit device: 108 MHz with zero

wait-state synchronous burst reads: 7 ns

clock-to-data output

— 256-Mbit device: 133 MHz with zero wait-

state synchronous burst reads: 5.5 ns

clock-to-data output

— 8-, 16-, and continuous-word

synchronous-burst Reads

— Programmable WAIT configuration

— Customer-configurable output driver

impedance

— Buffered Enhanced Factory Programming:

3.2 µs/Word (typ), 65 nm;

— I/O voltage: 1.7 V - 2.0 V

— Standby current: 70 µA (typ), 65 nm

— Standby current: 50 µA (typ), 90 nm

— Deep Power-Down mode: 2 µA (typ)

— Automatic Power Savings mode

— 16-word synchronous-burst read current:

23 mA (typ) @ 108 MHz

Software

— Intel^®Flash Data Integrator (Intel^®FDI)

optimized

— Basic Command Set and Extended

Command Set compatible

— Common Flash Interface

4.2 µs/Word (typ), 90 nm

— Block Erase: 0.9 s per block (typ)

— 20 µs (typ) program suspend

Security

— OTP Registers:

64 unique pre-programmed bits

2112 user-programmable bits

— 20 µs (typ) erase suspend

Architecture

— Absolute write protection with V_PP= GND

— Power-transition erase/program lockout

— Individual zero-latency block locking

— Individual block lock-down

— 16-bit wide data bus

— Multi-Level Cell Technology

— Symmetrically-Blocked Array Architecture

— 256-Kbyte Erase Blocks

— 1-Gbit device: Eight 128-Mbit partitions

— 512-Mbit device: Eight 64-Mbit partitions

— 256-Mbit device: Eight 32-Mbit partitions.

— Read-While-Program and Read-While-Erase

— Status Register for partition/device status

— Blank Check feature

Density and Packaging

— Density: 1 Gbit, 512 Mbit, 256 Mbit

— Address-data multiplexed and non-

multiplexed interfaces

— x16D (105-ball) Flash SCSP

— x16C (107-ball) Flash SCSP

— 0.8 mm pitch lead-free solder-ball

Quality and Reliability

— Expanded temperature: –30 °C to +85 °C

— Minimum 100,000 erase cycles per block

— ETOX™ X Process Technology (65 nm)

— ETOX™ IX Process Technology (90 nm)

Document Number: 309823-005US

November 2006

12 3 4 5 6 7...71

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