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PE70FG120

更新时间： 2024-09-20 22:07:23
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描述
THYRISTOR MODULE

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PE70FG120 数据手册

 浏览型号PE70FG120的Datasheet PDF文件第2页 
THYRISTOR MODULE  
(
)
PD,PE  
PK 70FG  
UL;E76102（M）  
Power Thyristor/Diode Module PK70FG series are designed for various rectifier circuits  
and power controls. For your circuit application, following internal connections and wide  
voltage ratings up to 1600V are available. and electrically isolated mounting base make  
your mechanical design easy.  
92．０�  
2０．０�2０．０�2０．０�  
１７．５�  
２-φ6 ．０�  
●
●
T(AV)  
T(RMS)  
TSM  
110A, I  
I
70A, I  
1600A  
di/dt 100A/μs  
Internal Configurations  
● dv/dt 1000V/μs  
M５× 1０�  
２．８�  
K2  
G2  
4-＃１１０TAB  
（Applications）  
Various rectifiers  
K2  
G2  
3
2
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
3
2
1
A1K2  
K1  
（A2）�  
（K2）�  
A1K2  
NAME PLATE  
AC/DC motor drives  
Heater controls  
Light dimmers  
PK  
PE  
８０．０±０．２�  
K2  
3
2
1
K1G1  
（A2）�  
（K2）�  
A1K2  
Static switches  
Unit：  
A
PD  
■Maximum Ratings  
（Tj＝25℃ unless otherwise specified）  
Ratings  
PK70FG40  
PD70FG40  
PE70FG40  
PK70FG80  
PD70FG80  
PE70FG80  
PK70FG120  
PD70FG120  
PE70FG120  
PK70FG160  
PD70FG160  
PE70FG160  
Symbol  
Item  
Unit  
VRRM  
VRSM  
VDRM  
400  
480  
400  
800  
960  
800  
1200  
1300  
1200  
1600  
1700  
1600  
V
V
V
＊Repetitive Peak Reverse Voltage  
＊Non-Repetitive Peak Reverse Voltage  
＊Repetitive Peak off-state Voltage  
Ratings  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
A
T（AV）  
I
70  
＊Average On-state Current  
＊R.M.S. On-state Current  
＊Surge On-state Current  
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝84℃  
T（RMS）  
I
110  
A
Single phase, half wave, 180°conduction, Tc＝84℃  
1
TSM  
I
Z
A
／ Cycle, 50/60H , Peak Value, non-repetitive  
1460/1600  
2
2
2
2
I t  
Value for one cycle surge current  
10660  
A S  
＊I t  
GM  
P
Peak Gate Power Dissipation  
Average Gate Power Dissipation  
Peak Gate Current  
10  
W
W
G（AV）  
P
1
FGM  
I
3
10  
A
FGM  
V
Peak Gate Voltage (Forward)  
Peak Gate Voltage (Reverse)  
Critical Rate of Rise of On-state Current  
V
RGM  
V
5
V
1
G
D
DRM  
G
100  
di/dt  
I ＝100mA，V ＝／V ，di /dt＝0.1A/μs  
A/μs  
V
2
ISO  
V
A.C. 1minute  
2500  
＊Isolation Breakdown Voltage（R.M.S.）  
Tj  
＊
Operating Junction Temperature  
－40 to ＋125  
－40 to ＋125  
2.7（28）  
2.7（28）  
170  
℃
℃
Tstg  
＊Storage Temperature  
Mounting（M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mounting  
Torque  
N･m  
（㎏f･B）  
Termina  
（l M5） Recommended Value 1.5-2.5（15-25）  
Mass  
Typical Value  
g
■Electrical Characteristics  
Ratings  
20  
Symbol  
Item  
Conditions  
Unit  
mA  
mA  
V
DRM  
I
Repetitive Peak off-state Current,max  
Repetitive Peak Reverse Current,max  
D
DRM  
Tj＝125℃，V ＝V  
RRM  
I
D
DRM  
20  
＊
Tj＝125℃，V ＝V  
TM  
V
T
1.6  
＊On-state Voltage,max  
Gate Trigger Current,max  
Gate Trigger Voltage,max  
Gate Non-Trigger Voltage,min  
Critical Rate of Rise of off-state Voltage,min  
I ＝210A  
GT  
I
D
T
50  
mA  
V
V ＝6V，I ＝1A  
GT  
V
D
T
3
V ＝6V，I ＝1A  
1
GD  
V
D
DRM  
0.25  
1000  
0.37  
V
Tj＝125℃，V ＝  
／
2V  
2
D
DRM  
dv/dt  
Tj＝125℃，V ＝／V  
V/μs  
℃/W  
3
Junction to case  
Rth（j-c）＊Thermal Impedance,max  
＊mark：Thyristor and Diode part. No mark：Thyristor part  
SanRex 50 Seaview Blvd. Port Washington, NY 11050-4618 PH.(516)625-1313 FAX(516)625-8845 E-mail: semi@sanrex.com  
12

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