Datasheet > PDM41024LA10SOATR

PDM41024LA10SOATR

更新时间： 2024-01-19 06:57:41

品牌	Logo	应用领域
其他 - ETC		/
页数	文件大小	规格书
8页	295K
描述
1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDM41024LA10SOATR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.91
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	端子数量：	32
字数：	131072 words	字数代码：	128000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP32,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行：	PARALLEL	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.0005 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.23 mA	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
Base Number Matches：	1

PDM41024LA10SOATR 数据手册

浏览型号PDM41024LA10SOATR的Datasheet PDF文件第2页

浏览型号PDM41024LA10SOATR的Datasheet PDF文件第3页

浏览型号PDM41024LA10SOATR的Datasheet PDF文件第4页

浏览型号PDM41024LA10SOATR的Datasheet PDF文件第5页

浏览型号PDM41024LA10SOATR的Datasheet PDF文件第6页

PDM41024

Low V Data Retention Waveform

Data Retention Mode

4.5V

CDR

CE1

CE2

DON'T CARE

≤ 0.2V

Data Retention Electrical Characteristics (LA Version Only) for JEDEC Version

Symbol Parameter

for Retention Data

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Unit

—

Data Retention Current

CE1 ≥ V – 0.2V or

= 2V

= 3V

—

500

750

µA

CCDR

CE2 ≤ V + 0.2V

≥ V – 0.2V

or ≤ 0.2V

Chip Deselect to Data Retention Time

Operation Recovery Time

—

CDR

(3)

NOTES: (For three previous Electrical Characteristics tables)

1. The parameter is tested with CL = 5 pF as shown in Figure 2. Transition is measured ±200 mV from steady state voltage.

2. At any given temperature and voltage condition, t

3. This parameter is sampled.

is less than t

HZCE

LZCE

4. WE is high for a READ cycle.

5. The device is continuously selected. All the Chip Enables are held in their active state.

6. The address is valid prior to or coincident with the latest occurring Chip Enable.

7. Vcc = 5V ± 5%.

Ordering Information

XXXXX

Speed

Device Type Power

Package

Type

Process

Temp. Range

Preferred

Shipping

Container

Blank Tubes

Tape & Reel

Tray

Blank

Commercial (0° to +70°C)

Industrial (-40° to +85°C)

Automotive (-40° to +105°C)

TSO 32-pin 300-mil Plastic SOJ

32-pin 400-mil Plastic SOJ

32-pin Plastic TSOP (I)

Commercial Only

(use 15 ns for slower designs)

Standard Power

Low Power

PDM41024 - 1 Meg (128Kx8) Static RAM

4/09/98 - Rev. 3.3

1...5 6 78

下载PDF

与PDM41024LA10SOATR相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM41024LA10SOATY	ETC	1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit	获取价格
PDM41024LA10SOI	ETC	1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit	获取价格
PDM41024LA10SOITR	ETC	1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit	获取价格
PDM41024LA10SOITY	ETC	1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit	获取价格
PDM41024LA10SOTR	IXYS	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32	获取价格
PDM41024LA10SOTY	ETC	1 Megabit Static RAM 128K x 8-Bit	获取价格