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PDM41024LA10SO

更新时间: 2024-01-14 10:17:18
品牌 Logo 应用领域
IXYS 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
8页 235K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32

PDM41024LA10SO 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.91
最长访问时间:10 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J32内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:8
端子数量:32字数:131072 words
字数代码:128000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOJ
封装等效代码:SOJ32,.44封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
最大待机电流:0.0005 A最小待机电流:2 V
子类别:SRAMs最大压摆率:0.23 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

PDM41024LA10SO 数据手册

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PDM41024  
Write Cycle No. 1 (Write Enable Controlled)  
t
WC  
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
CW  
CE2  
CE1  
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AS  
t
WP2  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
IN  
DATA VALID  
t
HZWE  
t
LZWE  
HIGH-Z  
D
OUT  
Write Cycle No. 2 (Write Enable Controlled)  
t
WC  
ADDR  
t
t
AH  
AW  
t
CW  
CE2  
CE1  
t
AS  
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WP1  
WE  
t
t
DH  
DS  
D
IN  
DATA VALID  
HIGH-Z  
D
OUT  
NOTE: Output Enable (OE) is inactive (high)  
6
4/09/98 - Rev. 3.3  

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