PDM1102H

更新时间： 2024-01-11 04:15:04

品牌	Logo	应用领域
NIEC		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	120K
描述
MOSFET - 110A, 250V

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PDM1102H 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7	针数：	7
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小漏源击穿电压：	250 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.033 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-XUFM-X7
元件数量：	2	端子数量：	7
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	220 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PDM1102H 数据手册

PDM1102H

P2HM1102H

MOSFET 110A 250V

P2HM1102H

PDM1102H

108.0

質量 Approximate Weight :220g

■最大定格 Maximum Ratings

質量 Approximate Weight :220g

項

目

記号

耐圧・クラス Grade

PDM1102H / P2HM1102H

250

単位

Symbol

Unit

Rating

ドレイン・ソース間電圧

V_DSS

V_GSS

I_D

Drain-Source Voltage

V_GS=0V

ゲート・ソース間電圧

Gate-Source Voltage

±20

Duty=50%

D.C.

ドレイン電流（連続）

Continuous Drain Current

110（Ｔc=25℃）

80（Ｔc=25℃）

パルスドレイン電流

Pulsed Drain Current

全損失

220（Ｔc=25℃）

420（Ｔc=25℃）

－40～+150℃

I_DM

P_D

Total Power Dissipation

動作接合温度範囲

℃

T_jw

Operating Junction Temperature Range

保存温度範囲

－40～+125℃

℃

T_stg

V_iso

F_tor

Storage Temperature Range

絶縁耐圧

2000

RMS Isolation Voltage

端子 - ベース間,AC1 分間 Terminals to Base, AC 1 min .

3.0（本体取付 Module Base to Heat sink）

2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals）

締付トルク

N・m

Mounting Torque

12 3

下载PDF

与PDM1102H相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PDM1405HA	NIEC	MOSFET MODULE Dual 140A/500V	获取价格
PDM1405HA_1	NIEC	140A 500V	获取价格
PDM-16	GAMEWELL-FCI	Serial annunciator driver module, main driver with 16-outputs	获取价格
PDM1616150	P-TEC	Gray or Black Face, White Segment	获取价格
PDM1616150x-A11	P-TEC	Gray or Black Face, White Segment	获取价格
PDM1616150x-G05	P-TEC	Gray or Black Face, White Segment	获取价格