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PACDN043Y4 PDF预览

PACDN043Y4

更新时间： 2024-10-01 22:15:19
品牌 Logo 应用领域
CALMIRCO /
页数 文件大小 规格书
2页 87K
描述
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR ARRAYS

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PACDN043Y4 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOT-143包装说明：R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.65外壳连接：ANODE
最大钳位电压：12 V配置：COMMON ANODE, 3 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码：R-PDSO-G4JESD-609代码：e0
元件数量：3端子数量：4
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：0.225 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-STD-883D
最大重复峰值反向电压：6.1 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：YES技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

PACDN043Y4 数据手册

 浏览型号PACDN043Y4的Datasheet PDF文件第2页 
PACDN042/043/  
044/045/046  
CALIFORNIA MICRO DEVICES  
TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR ARRAYS  
Features  
• 2, 3, 4, 5, or 6 transient voltage suppressors in a single  
surface-mount package.  
Applications  
• ESD protection of PC ports, e.g. USB port.  
• Protection of interface ports or IC pins  
which are exposed to high levels of ESD.  
• Compact SMT packages save board space and ease  
layout in space critical applications compared to  
discrete solutions.  
• In-system ESD protection to 20kV contact discharge  
per IEC 61000-4-2 International Standard.  
Product Description  
The PACDN042, PACDN043, PACDN044, PACDN045, and PACDN046 are transient voltage suppressor arrays that provide a very  
high level of protection for sensitive electronic components that may be subjected to electrostatic discharge (ESD). The devices  
are designed and characterized to safely dissipate ESD strikes at levels well beyond the maximum requirements set forth in the  
IEC 61000-4-2 International Standard (Level 4, 8kV contact discharge). All pins are rated at 20kV ESD using the IEC 61000-4-  
2 contact discharge method.  
Using the MIL-STD-883D (Method 3015) specification for Human Body Model (HBM) ESD, all pins are protected for contact  
discharges to greater than 30kV.  
Schematic Configurations  
STANDARD SPECIFICATIONS  
Parameter  
Reverse Stand-off Voltage, I = 10uA  
Signal Clamp Voltage:  
Min.  
Typ.  
Max.  
Unit  
5.5  
V
Positive Clamp, 10mA  
Negative Clamp, 10mA  
5.6  
-1.2  
6.8  
-0.8  
8.0  
-0.4  
V
V
In-system ESD withstand voltage*:  
Human Body Model (MIL-STD-883D, method 3015)  
IEC 61000-4-2, contact discharge method  
±30  
±20  
kV  
kV  
V
Clamping voltage during ESD discharge  
MIL-STD-883D (Method 3015), 8kV  
Capacitance @ 2.5V dc, 1 MHz  
Temperature Range:  
Positive  
Negative  
12  
-8  
30  
V
pF  
Operating  
-40  
-65  
85  
150  
0.225  
0.5  
°C  
Storage  
Package Power Rating: SOT23, SOT23-5, SOT-143  
TSSOP, MSOP  
W
W
* ESD applied between channel pin and ground, one at a time. All other channels are open. All GND pins grounded.  
This parameter is guaranteed by design and characterization..  
Note: ‘GND’ in this document refers to the lower supply voltage.  
C1470800  
© 2000 California Micro Devices Corp. All rights reserved.  
8/25/2000 215 Topaz Street, Milpitas, California 95035  
Tel: (408) 263-3214  
Fax: (408) 263-7846  
www.calmicro.com  
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