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P6SMBJ180

更新时间: 2024-09-26 22:47:59
品牌 Logo 应用领域
赛米控丹佛斯 - SEMIKRON 瞬态抑制器二极管
页数 文件大小 规格书
2页 158K
描述
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor diodes

P6SMBJ180 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:DO-214AA
包装说明:R-PDSO-C2针数:2
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.50风险等级:5.2
Is Samacsys:N最大击穿电压:255 V
最小击穿电压:209 V配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码:DO-214AAJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e2最大非重复峰值反向功率耗散:600 W
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C最低工作温度:-50 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性:UNIDIRECTIONAL最大功率耗散:5 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:180 V
表面贴装:YES技术:AVALANCHE
端子面层:Tin/Silver (Sn/Ag)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

P6SMBJ180 数据手册

 浏览型号P6SMBJ180的Datasheet PDF文件第2页 
P6 SMBJ 150...P6 SMBJ 180CA  
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Unidirectional and  
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Voltage Suppressor  
diodes  
P6 SMBJ 150...P6 SMBJ 180CA  
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Maximum Stand-off  
voltage: 150 ... 180 V  
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1
24-03-2005 SCT  
© by SEMIKRON  

与P6SMBJ180相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P6SMBJ180A LITTELFUSE

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Silicon Avalanche Diodes - 600W Surface Mount Transient Voltage Supressors
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Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 154V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-
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P6SMBJ series, 600W transient voltage suppressor (TVS) in SMB package, designed to protect
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DIODE 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA, SMBJ, 2 PIN, Transient Suppress
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SMB