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P6KE510CA

更新时间： 2024-01-05 17:09:33

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东沃 - dowosemi		二极管局域网
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描述
瞬态电压抑制二极管 Transient Voltage Suppression Diodes

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P6KE510CA 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.50	风险等级：	5.15
其他特性：	UL RECOGNIZED	最大击穿电压：	561 V
最小击穿电压：	459 V	击穿电压标称值：	510 V
外壳连接：	ISOLATED	最大钳位电压：	729 V
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	JEDEC-95代码：	DO-15
JESD-30 代码：	O-PALF-W2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	最大非重复峰值反向功率耗散：	600 W
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	175 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	LONG FORM	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	5 W
最大重复峰值反向电压：	413 V	子类别：	Transient Suppressors
表面贴装：	NO	技术：	AVALANCHE
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	WIRE
端子位置：	AXIAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

P6KE510CA 数据手册

东沃电子

DOWOSEMI

P6KE Series

Breakdown Voltage: 6.8 to 600 V

Peak Pulse Power: 600 W

Axial Lead

Transient Voltage Suppressors

DO-15

Features

^ϥGlass passivated chip

600 W peak pulse power capability with a

10/1000 ȝs waveform, repetitive rate (duty

cycle):0.01 %

DIA.

1.000 [25.40]

MIN

0.033 0.84

^ϥLow leakage

0.028

[ ]

0.71

^ϥUni and Bidirectional unit

^ϥExcellent clamping capability

^ϥVery fast response time

^ϥRoHS compliant

0.300 7.63

0.230 5.85

[

]

Mechanical Data

^ϥCase: Molded plastic

DIA.

0.142 3.61

0.102 2.60

[

]

^ϥEpoxy: UL 94V-0 rate flame retardant

Lead: Solderable per MIL-STD-202, method

208 guranteed

1.000 [25.40]

MIN

^ϥPolarity: Color band denotes cathode end

except Bipolar

Dimensions :

inch [ mm ]

^ϥMounting position: Any

Maximum Ratings(T_A=25к unless otherwise noted)

Value

UNIT

Parameter

Symbol

P_PP

Peak power dissipation with a 10/1000ȝs waveform⁽¹⁾

600

See Next Table

5.0

Peak pulse current wih a 10/1000ȝs waveform⁽¹⁾

Power dissipation on infinite heatsink at T_L= 75 °C

Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-

I_PP

P_D

I_FSM

100

wave unidirectional only⁽²⁾

Maximum instantaneous forward voltage at 50 A for

unidirectional only⁽³⁾

V_F

3.5/5.0

Operating junction and storage temperature range

T_J, T_STG

–55 to +150

°C

Note:

(1)Non-repetitive current pulse per Fig.5 and derated above T_A= 25 °C per Fig.1

(2)Measured on 8.3 ms single half sine-wave or equivalent square wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum

(3)V_F<3.5V for devices of V_BR<200V and V_F<5.0V for devices of V_BR>201V

TEL：0571-87006810

www.dowosemi.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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P6KE510C-B	LITTELFUSE	TVS DIODE	获取价格
P6KE510C-HE3/54	VISHAY	Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 413V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-2	获取价格