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P5C164300L32M

更新时间： 2024-09-28 17:22:07

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PYRAMID		可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
11页	245K
描述
EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32

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P5C164300L32M 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	QFJ
包装说明：	0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32	针数：	32
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A001.A.2.C
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.23
最长访问时间：	300 ns	JESD-30 代码：	R-CQCC-N32
JESD-609代码：	e0	长度：	13.97 mm
内存密度：	65536 bit	内存集成电路类型：	EEPROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	8192 words
字数代码：	8000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-55 °C
组织：	8KX8	封装主体材料：	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装代码：	QCCN	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	CHIP CARRIER	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	编程电压：	5 V
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.905 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	MILITARY
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

P5C164300L32M 数据手册

P5C164

8K x 8 EEPROM

FEATURES

Access Times of 200, 250, 300 and 350 ns

Single 5V±10% Power Supply

Software Data Protection

Fully TTL Compatible Inputs and Outputs

Endurance:10,000or100,000Cycles

Data Retention: 100 Years

Simple Byte and Page Write

Low Power CMOS:

- 60 mA Active Current

- 200 µA Standby Current

Available in the following Packages:

– 32-Pin Ceramic LCC (450 x 550 mils)

– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP

Fast Write Cycle Times

DESCRIPTION

PIN CONFIGURATIONS

TheP5C164isa5Volt8Kx8EEPROMusingfloatinggate

CMOS Technology. The device supports 64-byte page

writeoperation. TheP5C164featuresDATAandToggle

Bit Polling as well as a system software scheme used to

indicate early completion of a Write Cycle. The device

also includes user-optional software data protection.

Enduranceis10,000or100,000CyclesandDataReten-

tionis100Years. Thedeviceisavailableina32-PinLCC

package as well as a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP.

DIP (C5-1)

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1519B

LCC (L6)

Document # EEPROM101 REV OR

Revised July 2006

12 3 4 5 6 7...11

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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P5C164350CWM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164350CWMB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164350L32M	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P5C164350L32MB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P5C164X200CWM	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164X200CWMB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164X200L32M	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P5C164X200L32MB	PYRAMID	获取价格	EEPROM, 8KX8, 200ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
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