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P5C164250CWMB PDF预览

P5C164250CWMB

更新时间： 2024-02-15 09:21:59
品牌 Logo 应用领域
PYRAMID 可编程只读存储器电动程控只读存储器电可擦编程只读存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
11页 245K
描述
EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28

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P5C164250CWMB 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DIP
包装说明：0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28针数：28
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A001.A.2.C
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.22
最长访问时间：250 nsJESD-30 代码：R-CDIP-T28
JESD-609代码：e0内存密度：65536 bit
内存集成电路类型：EEPROM内存宽度：8
功能数量：1端子数量：28
字数：8192 words字数代码：8000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-55 °C组织：8KX8
封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
编程电压：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：5.8928 mm最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：NO技术：CMOS
温度等级：MILITARY端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

P5C164250CWMB 数据手册

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P5C164  
8K x 8 EEPROM  
FEATURES  
Access Times of 200, 250, 300 and 350 ns  
Single 5V±10% Power Supply  
Software Data Protection  
Fully TTL Compatible Inputs and Outputs  
Endurance:10,000or100,000Cycles  
Data Retention: 100 Years  
Simple Byte and Page Write  
Low Power CMOS:  
- 60 mA Active Current  
- 200 µA Standby Current  
Available in the following Packages:  
– 32-Pin Ceramic LCC (450 x 550 mils)  
– 28-Pin 600 mil Ceramic DIP  
Fast Write Cycle Times  
DESCRIPTION  
PIN CONFIGURATIONS  
TheP5C164isa5Volt8Kx8EEPROMusingfloatinggate  
CMOS Technology. The device supports 64-byte page  
writeoperation. TheP5C164featuresDATAandToggle  
Bit Polling as well as a system software scheme used to  
indicate early completion of a Write Cycle. The device  
also includes user-optional software data protection.  
Enduranceis10,000or100,000CyclesandDataReten-  
tionis100Years. Thedeviceisavailableina32-PinLCC  
package as well as a 28-Pin 600 mil wide Ceramic DIP.  
DIP (C5-1)  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
LCC (L6)  
Document # EEPROM101 REV OR  
Revised July 2006  
1
1234567...11

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与P5C164250CWMB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P5C164250L32MB PYRAMID

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 		EEPROM, 8KX8, 250ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P5C164300CWM PYRAMID

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 		EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164300CWMB PYRAMID

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 		EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CDIP28, 0.600 INCH, SIDE BRAZED, CERAMIC, DIP-28
P5C164300L32M PYRAMID

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 		EEPROM, 8KX8, 300ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
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 		EEPROM, 8KX8, 350ns, Parallel, CMOS, CQCC32, 0.450 X 0.550 INCH, CERAMIC, LCC-32
P5C164X200CWM PYRAMID

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