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P4KE180C PDF预览

P4KE180C

更新时间： 2024-09-27 20:27:35
品牌 Logo 应用领域
德欧泰克 - DIOTEC 局域网IOT二极管
页数 文件大小 规格书
4页 112K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 146V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DO-15, 2 PIN

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P4KE180C 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-15包装说明：O-PALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.50
风险等级：5.58Is Samacsys：N
最大击穿电压：198 V最小击穿电压：162 V
击穿电压标称值：180 V外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODEJEDEC-95代码：DO-204AC
JESD-30 代码：O-PALF-W2湿度敏感等级：1
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-50 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：BIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：146 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子形式：WIRE端子位置：AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIEDBase Number Matches：1

P4KE180C 数据手册

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P4KE6.8 ... P4KE440CA  
P4KE6.8 ... P4KE440CA  
Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes  
Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden  
Version 2013-12-19  
Peak pulse power dissipation  
Maximale Verlustleistung  
400 W  
Nominal breakdown voltage  
Nominale Abbruch-Spannung  
6.8...440 V  
Ø 3±0.05  
Plastic case  
DO-15  
Kunststoffgehäuse  
(DO-204AC)  
Weight approx.  
Gewicht ca.  
0.4 g  
Plastic material has UL classification 94V-0  
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert  
Ø 0.8±0.05  
Standard packaging taped in ammo pack  
Standard Lieferform gegurtet in ammo-Pack  
Dimensions - Maße [mm]  
For bidirectional types (add suffix “C” or “CA”), electrical characteristics apply in both directions.  
Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “C” oder “CA”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen.  
Maximum ratings and Characteristics  
Grenz- und Kennwerte  
Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform)  
Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs)  
TA = 25°C  
TA = 75°C  
TA = 25°C  
PPPM  
PM(AV)  
IFSM  
400 W 1)  
Steady state power dissipation  
Verlustleistung im Dauerbetrieb  
1 W 2)  
Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave  
Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle  
40 A 3)  
Max. instantaneous forward voltage  
Augenblickswert der Durchlass-Spannung  
IF = 25 A  
VBR ≤ 200 V  
VBR > 200 V  
VF  
VF  
< 3.0 V 3)  
< 6.5 V 3)  
Junction temperature – Sperrschichttemperatur  
Storage temperature – Lagerungstemperatur  
Tj  
TS  
-50...+175°C  
-50...+175°C  
Thermal resistance junction to ambient air  
RthA  
< 45 K/W 2)  
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft  
Thermal resistance junction to leadsl  
RthL  
< 15 K/W  
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht  
1
Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (r)  
Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t)  
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case  
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden  
Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden  
2
3
© Diotec Semiconductor AG  
http://www.diotec.com/  
1
 
 
 
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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