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P4KE110-TB-LF

更新时间： 2024-02-08 21:22:27
品牌 Logo 应用领域
WTE 局域网二极管
页数 文件大小 规格书
6页 98K
描述
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 89.2V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-41, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2

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P4KE110-TB-LF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.25
最大击穿电压：121 V最小击穿电压：99 V
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：2
最大非重复峰值反向功率耗散：400 W元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：175 °C
最低工作温度：-65 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）：260极性：UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散：1 W最大重复峰值反向电压：89.2 V
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：MATTE TIN端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：10
Base Number Matches：1

P4KE110-TB-LF 数据手册

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®
P4KE SERIES  
400W TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSOR  
WON-TOP ELECTRONICS  
Features  
Glass Passivated Die Construction  
400W Peak Pulse Power Dissipation  
5.5V – 513V Standoff Voltage  
Uni- and Bi-Directional Versions Available  
Excellent Clamping Voltage  
Typical Response Time < 1nS  
Plastic Case Material has UL Flammability  
Classification Rating 94V-0  
A
B
A
C
D
Mechanical Data  
Case: DO-41, Molded Plastic  
Terminals: Plated Leads Solderable per  
MIL-STD-202, Method 208  
Polarity: Cathode Band Except Bi-Directional  
Weight: 0.35 grams (approx.)  
Mounting Position: Any  
Marking: Type Number  
Lead Free: For RoHS / Lead Free Version,  
Add “-LF” Suffix to Part Number, See Page 6  
DO-41  
Dim  
A
Min  
25.4  
4.06  
0.71  
2.00  
Max  
—
B
5.21  
0.864  
2.72  
C
D
All Dimensions in mm  
Maximum Ratings and Electrical Characteristics @TA=25°C unless otherwise specified  
Characteristic  
Symbol  
Value  
Unit  
Peak Pulse Power Dissipation on 10/1000µS Waveform (Note 1, 2, 5)  
Peak Pulse Current on 10/1000µS Waveform (Note 1)  
Peak Forward Surge Current (Note 2, 3)  
PPPM  
IPPM  
IFSM  
VF  
400  
See Table 1  
40  
W
A
A
Maximum Instantaneous Forward Voltage at 25A (Note 3, 4)  
Power Dissipation at TL = 75°C (Note 2)  
3.5 / 5.0  
1.0  
V
PD  
W
Typical Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 2)  
Typical Thermal Resistance, Junction to Lead (Note 2)  
RθJA  
RθJL  
100  
60  
°C/W  
°C  
Operating and Storage Temperature Range  
TJ, TSTG  
-55 to +150  
Note: 1. Non-repetitive current pulse per Figure 5 and derated above TA = 25°C per Figure 1.  
2. Mounted on 40 x 40 x 1.0mm thick copper pads to each terminal that maintained at a distance of 9.5mm from the case.  
3. Measured on 8.3ms single half sine-wave, duty cycle = 4 pulses per minute maximum. For uni-directional devices only.  
4. VF < 3.5V for VBR ≤ 200V and VF < 5.0V for VBR ≥ 201V.  
5. Peak pulse power waveform is 10/1000µS.  
© Won-Top Electronics Co., Ltd.  
Revision: September, 2012  
www.wontop.com  
1
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