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Datasheet > 二极管 > 瞬态抑制器> P4KE10-G
P4KE10-G PDF预览

P4KE10-G

更新时间： 2024-01-31 02:45:41
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上华 - COMCHIP 瞬态抑制器二极管
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4页 109K
描述
400W Transient Voltage Suppressor

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P4KE10-G 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-41
包装说明：O-PALF-W2针数：2
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.50风险等级：5.15
最大击穿电压：11 V最小击穿电压：9 V
击穿电压标称值：10 V外壳连接：ISOLATED
最大钳位电压：15 V配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码：DO-41JESD-30 代码：O-PALF-W2
JESD-609代码：e0最大非重复峰值反向功率耗散：400 W
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：175 °C最低工作温度：-65 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性：UNIDIRECTIONAL最大功率耗散：1 W
最大重复峰值反向电压：8.1 V子类别：Transient Suppressors
表面贴装：NO技术：AVALANCHE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

P4KE10-G 数据手册

 浏览型号P4KE10-G的Datasheet PDF文件第2页浏览型号P4KE10-G的Datasheet PDF文件第3页浏览型号P4KE10-G的Datasheet PDF文件第4页 
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P4KE10-GT3 SENSITRON Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 8.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-

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