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P4C167L-35LMB

更新时间: 2024-02-26 00:01:08
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PYRAMID /
页数 文件大小 规格书
10页 192K
描述
ULTRA HIGH SPEED 16K X 1 STATIC CMOS RAMS

P4C167L-35LMB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active零件包装代码:DIP
包装说明:DIP,针数:20
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.41风险等级:5.75
最长访问时间:35 nsJESD-30 代码:R-PDIP-T20
JESD-609代码:e0长度:25.908 mm
内存密度:16384 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:1功能数量:1
端子数量:20字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:16KX1封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED认证状态:Not Qualified
座面最大高度:5.334 mm最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mmBase Number Matches:1

P4C167L-35LMB 数据手册

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P4C167  
AC CHARACTERISTICS - WRITE CYCLE  
(VCC = 5V ± 10%, All Temperature Ranges)(2)  
–10  
–12  
–15  
–20  
–35  
–25  
–45  
Symbol  
Parameter  
Unit  
Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max  
tWC  
tCW  
Write Cycle Time  
Chip Enable Time  
to End of Write  
10  
8
12  
10  
15  
2
20  
15  
25  
20  
35  
25  
45  
30  
ns  
ns  
tAW  
tAS  
Address Valid to  
End of Write  
8
0
10  
0
12  
0
15  
0
20  
0
25  
0
30  
0
ns  
ns  
Address Set-up  
Time  
tWP  
tAH  
Write Pulse Width  
Address Hold Time  
from End of Write  
8
0
10  
0
12  
0
15  
0
20  
0
25  
0
30  
0
ns  
ns  
tDW  
Data Valid to End  
of Write  
Data Hold Time  
6
0
7
0
10  
0
13  
0
15  
0
20  
0
25  
0
ns  
tDH  
tWZ  
ns  
ns  
Write Enable to  
Output in High Z  
6
7
8
12  
15  
17  
20  
tOW  
Output Active from  
End of Write  
0
0
0
0
0
0
0
ns  
TIMING WAVEFORM OF WRITE CYCLE NO. 1 (WE CONTROLLED)(9)  
Notes:  
9. CE and WE must be LOW for WRITE cycle.  
10. If CE goes HIGH simultaneously with WE HIGH, the output remains  
in a high impedance state.  
11. Write Cycle Time is measured from the last valid address to the first  
transition address.  
Document # SRAM106 REV A  
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