5秒后页面跳转
P086PH06DGO PDF预览

P086PH06DGO

更新时间: 2024-09-30 06:15:51
品牌 Logo 应用领域
IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element

P086PH06DGO 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
配置:SINGLE最大直流栅极触发电流:200 mA
JESD-30 代码:O-MUPM-H3元件数量:1
端子数量:3封装主体材料:METAL
封装形状:ROUND封装形式:POST/STUD MOUNT
认证状态:Not Qualified最大均方根通态电流:175 A
断态重复峰值电压:600 V重复峰值反向电压:600 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR

P086PH06DGO 数据手册

 浏览型号P086PH06DGO的Datasheet PDF文件第2页 

与P086PH06DGO相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
P086PH06DHO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175 A, 600 V, SCR
P086PH06DJO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06E2K0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175000mA I(T), 600V V(DRM)
P086PH06E2KO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06EG IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06EG0 IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,600V V(DRM),175A I(T),TO-209AC
P086PH06EGO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06EH IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06EHO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element
P086PH06EJO IXYS

获取价格

Silicon Controlled Rectifier, 175A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element