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P027RH10EK

更新时间: 2024-01-14 16:44:15
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
2页 257K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 100A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-65

P027RH10EK 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84其他特性:HIGH RELIABILITY
标称电路换相断开时间:20 µs配置:SINGLE
关态电压最小值的临界上升速率:100 V/us最大直流栅极触发电流:100 mA
最大直流栅极触发电压:3 V最大维持电流:400 mA
JEDEC-95代码:TO-65JESD-30 代码:O-MUPM-H3
元件数量:1端子数量:3
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:POST/STUD MOUNT认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:100 A重复峰值关态漏电流最大值:10000 µA
断态重复峰值电压:1000 V重复峰值反向电压:1000 V
表面贴装:NO端子形式:HIGH CURRENT CABLE
端子位置:UPPER触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

P027RH10EK 数据手册

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