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OP495GP

更新时间： 2024-01-13 03:58:42
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
12页 330K
描述
DUAL/QUAD RAIL-TO-RAIL OPERATIONAL AMPLIFIERS

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OP495GP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：SOIC
包装说明：SOP,针数：16
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.3
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER最大平均偏置电流 (IIB)：0.03 µA
标称共模抑制比：110 dB最大输入失调电压：800 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e3
长度：10.3 mm湿度敏感等级：1
负供电电压上限：-18 V标称负供电电压 (Vsup)：-15 V
功能数量：4端子数量：16
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：SOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260座面最大高度：2.65 mm
标称压摆率：0.03 V/us子类别：Operational Amplifier
供电电压上限：18 V标称供电电压 (Vsup)：15 V
表面贴装：YES技术：BICMOS
温度等级：AUTOMOTIVE端子面层：MATTE TIN
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
标称均一增益带宽：85 kHz宽度：7.5 mm

OP495GP 数据手册

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OP295/OP495  
ABSO LUTE MAXIMUM RATINGS1  
D ICE CH ARACTERISTICS  
Supply Voltage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±18 V  
Input Voltage2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .±18 V  
Differential Input Voltage2. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . +36 V  
Output Short-Circuit Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . Indefinite  
Storage T emperature Range  
P, S Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Operating T emperature Range  
OP295G, OP495G . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40°C to +125°C  
Junction T emperature Range  
P, S Package . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –65°C to +150°C  
Lead T emperature Range (Soldering, 60 Sec) . . . . . . . +300°C  
3
P ackage Type  
␪
␪
JC  
Unit  
JA  
8-Pin Plastic DIP (P)  
8-Pin SOIC (S)  
14-Pin Plastic DIP (P)  
16-Pin SO (S)  
103  
158  
83  
43  
43  
39  
30  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
°C/W  
98  
OP295 Die Size 0.066 × 0.080 inch, 5,280 sq. m ils.  
Substrate (Die Backside) Is Connected to V+.  
Transistor Count, 74.  
NOT ES  
1Absolute maximum ratings apply to both DICE and packaged parts, unless  
otherwise noted.  
2For supply voltages less than ±18 V, the absolute maximum input voltage is equal  
to the supply voltage.  
3θJA is specified for the worst case conditions, i.e., θJA is specified for device in socket  
for cerdip, P-DIP, and LCC packages; θJA is specified for device soldered in circuit  
board for SOIC package.  
OP495 Die Size 0.113 × 0.083 inch, 9,380 sq. m ils.  
Substrate (Die Backside) Is Connected to V+.  
Transistor Count, 196.  
Typical Characteristics  
140  
15.2  
VS = ±15V  
RL = 100k  
15.0  
120  
14.8  
14.6  
14.4  
14.2  
RL = 10k  
RL = 2k  
100  
80  
VS = +36V  
VS = +5V  
VS = +3V  
–14.4  
–14.6  
–14.8  
–15.0  
–15.2  
60  
RL = 2k  
RL = 10k  
RL = 100k  
40  
20  
–50  
–25  
0
25  
50  
75  
100  
–50  
–25  
0
25  
50  
75  
100  
TEMPERATURE – °C  
TEMPERATURE – °C  
Supply Current Per Am plifier vs. Tem perature  
Output Voltage Swing vs. Tem perature  
–4–  
REV. B  
1234567...12

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