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OP493ES

更新时间： 2024-02-21 17:19:26
品牌 Logo 应用领域
亚德诺 - ADI 运算放大器
页数 文件大小 规格书
16页 268K
描述
Precision, Micropower Operational Amplifiers

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OP493ES 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOIC包装说明：SOL-16
针数：16Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.31.00.01
风险等级：5.59Is Samacsys：N
放大器类型：OPERATIONAL AMPLIFIER架构：VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置电流 (IIB)：0.02 µA标称共模抑制比：116 dB
频率补偿：YES最大输入失调电压：375 µV
JESD-30 代码：R-PDSO-G16JESD-609代码：e0
长度：10.3 mm低-失调：YES
微功率：YES负供电电压上限：-18 V
标称负供电电压 (Vsup)：-15 V功能数量：4
端子数量：16最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOP封装等效代码：SOP16,.4
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
包装方法：TAPE AND REEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2/+-15 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：2.65 mm标称压摆率：0.015 V/us
子类别：Operational Amplifier供电电压上限：18 V
标称供电电压 (Vsup)：15 V表面贴装：YES
技术：BIPOLAR温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED标称均一增益带宽：35 kHz
最小电压增益：50000宽度：7.5 mm
Base Number Matches：1

OP493ES 数据手册

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OP193/OP293/OP493  
(@ V = +5.0 V, V = 0.1 V, T = +25؇C unless otherwise noted)  
ELECTRICAL SPECIFICATIONS  
S
CM  
A
“ E” Grade  
“ F” Grade  
P aram eter  
Sym bol Conditions  
Min Typ Max  
Min Typ Max  
Units  
INPUT CHARACT ERIST ICS  
Offset Voltage  
VOS  
OP193  
75  
150  
250  
250  
350  
275  
375  
20  
µV  
µV  
µV  
µV  
µV  
µV  
nA  
nA  
V
OP193, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
OP293  
OP293, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
OP493  
OP493, –40°C ≤ T A ≤ +125°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
175  
100  
200  
125  
225  
15  
Input Bias Current  
IB  
IOS  
VCM  
CMRR  
Input Offset Current  
Input Voltage Range  
Common-Mode Rejection  
2
4
4
4
0
0
96  
0.1 ≤ VCM ≤ +4 V  
0.1 ≤ VCM ≤ +4 V,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
RL = 100 kΩ,  
0.03 ≤ VOUT ≤ +4.0 V  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
RL = 10 kΩ,  
0.03 ≤ VOUT ≤ +4.0 V  
–40°C ≤ T A ≤ +85°C  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
Note 1  
100 116  
116  
dB  
92  
92  
dB  
Large Signal Voltage Gain  
Large Signal Voltage Gain  
AVO  
200  
125  
130  
200  
125  
V/mV  
V/mV  
V/mV  
130  
70  
AVO  
75  
50  
70  
75  
50  
V/mV  
V/mV  
V/mV  
µV  
Long T erm Offset Voltage  
Offset Voltage Drift  
VOS  
∆VOS/∆T  
150  
1.25  
300  
Note 2  
0.2  
µV/°C  
OUT PUT CHARACT ERIST ICS  
Output Voltage Swing High  
VOH  
IL = 100 µA  
IL = 1 mA  
4.4  
+4.1 4.4  
4.4  
+4.1 4.4  
V
V
IL = 1 mA,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
IL = 5 mA  
+4.0  
+4.0 4.4  
+4.0  
+4.0 4.4  
V
V
Output Voltage Swing Low  
VOL  
IL = –100 µA  
IL = –100 µA,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
No Load  
140 160  
140 160  
mV  
220  
5
280 400  
220  
5
280 400  
mV  
mV  
mV  
IL = –1 mA  
IL = –1 mA,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
IL = –5 mA  
500  
700 900  
±8  
500  
700 900  
±8  
mV  
mV  
mA  
Short Circuit Current  
ISC  
POWER SUPPLY  
Power Supply Rejection Ratio  
PSRR  
VS = ±1.7 V to ±6.0 V  
VS = ±1.5 V to ±18 V,  
–40°C ≤ T A ≤ +125°C  
VCM = 2.5 V, RL = ∞  
100 120  
94  
97  
90  
120  
dB  
dB  
µA  
Supply Current/Amplifier  
ISY  
14.5  
14.5  
NOISE PERFORMANCE  
Voltage Noise Density  
Current Noise Density  
Voltage Noise  
en  
in  
en p-p  
f = 1 kHz  
f = 1 kHz  
0.1 Hz to 10 Hz  
65  
0.05  
3
65  
0.05  
3
nV/√Hz  
pA/√Hz  
µV p-p  
DYNAMIC PERFORMANCE  
Slew Rate  
Gain Bandwidth Product  
SR  
GBP  
RL = 2 kΩ  
12  
35  
12  
35  
V/ms  
kHz  
NOT ES  
1Long term offset voltage is guaranteed by a 1000 hour life test performed on three independent lots at +125 °C, with an LT PD of 1.3.  
2Offset voltage drift is the average of the –40°C to +25°C delta and the +25°C to +125°C delta.  
Specifications subject to change without notice.  
REV. A  
–3–  
1234567...16

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