2N6282

更新时间： 2024-02-01 10:34:27

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管功率双极晶体管开关局域网
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6页	217K
描述
DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS

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2N6282 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.64
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	20 A
基于收集器的最大容量：	400 pF	集电极-发射极最大电压：	60 V
配置：	DARLINGTON	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JEDEC-95代码：	TO-3	JESD-30 代码：	O-MBFM-P2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	200 °C
最低工作温度：	-65 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	160 W	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier	端子形式：	PIN/PEG
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	4 MHz	VCEsat-Max：	3 V
Base Number Matches：	1

2N6282 数据手册

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by 2N6282/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

. . . designed for general–purpose amplifier and low–frequency switching applica-

tions.

•

High DC Current Gain @ I = 10 Adc —

= 2400 (Typ) — 2N6282, 2N6283, 2N6284

= 4000 (Typ) — 2N6285, 2N6286, 2N6287

•

Collector–Emitter Sustaining Voltage —

= 60 Vdc (Min) — 2N6282, 2N6285

= 80 Vdc (Min) — 2N6283, 2N6286

= 100 Vdc (Min) — 2N6284, 2N6287

CEO(sus)

•

Monolithic Construction with Built–In Base–Emitter Shunt Resistors

*Motorola Preferred Device

*MAXIMUM RATINGS

DARLINGTON

20 AMPERE

COMPLEMENTARY

SILICON

POWER TRANSISTORS

60, 80, 100 VOLTS

160 WATTS

2N6282 2N6283 2N6284

2N6285 2N6286 2N6287

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

Unit

Vdc

Adc

CEO

100

5.0

Collector Current — Continuous

Peak

Base Current

0.5

Adc

Total Device Dissipation @ T = 25 C

Derate above 25 C

160

0.915

Watts

W/ C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T ,T

J stg

–65 to +200

CASE 1–07

TO–204AA

(TO–3)

*THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Thermal Resistance, Junction to Case

* Indicates JEDEC Registered Data.

1.09

C/W

θJC

160

140

120

100

125

150

175

200

, CASE TEMPERATURE (

Figure 1. Power Derating

Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.

M^Mo^oto^tor^ro^ol^laa^{, I}B^ncip^{. 1}o⁹la⁹⁵r Power Transistor Device Data

12 3 4 5 6

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