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NX7002AK

更新时间： 2024-01-25 11:27:51

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安世 - NEXPERIA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
16页	719K
描述
60 V, single N-channel Trench MOSFETProduction

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NX7002AK 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.6
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	0.3 A	最大漏源导通电阻：	5.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-236AB
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	参考标准：	IEC-60134
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NX7002AK 数据手册

NX7002AK

60 V, single N-channel Trench MOSFET

6 August 2015

Product data sheet

1. General description

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23

(TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET

technology.

2. Features and benefits

Very fast switching

Trench MOSFET technology

ESD protected

•

3. Applications

Relay driver

•

High-speed line driver

Low-side loadswitch

Switching circuits

4. Quick reference data

Table 1.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

V_DS

V_GS

I_D

drain-source voltage

gate-source voltage

drain current

T_j= 25 °C

-20

V_GS= 10 V; T_sp= 25 °C

V_GS= 10 V; T_amb= 25 °C

300

190

[1]

Static characteristics

R_DSondrain-source on-state

V_GS= 10 V; I_D= 100 mA; T_j= 25 °C

4.5

resistance

Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for drain 1 cm².

[1]

12 3 4 5 6 7...16

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