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NVMFS5C468NT1G

更新时间： 2023-09-03 20:35:54
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安森美 - ONSEMI /
页数 文件大小 规格书
8页 296K
描述
单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，35A，12mΩ

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NVMFS5C468NT1G 数据手册

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DATA SHEET  
www.onsemi.com  
MOSFET – Power, Single  
N-Channel  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(ON)  
40 V  
12 mꢂ @ 10 V  
35 A  
40 V, 12 mW, 35 A  
D (5,6)  
NVMFS5C468N  
Features  
G (4)  
• Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design  
• Low R  
to Minimize Conduction Losses  
• Low Q and Capacitance to Minimize Driver Losses  
DS(on)  
S (1,2,3)  
N−CHANNEL MOSFET  
G
• NVMFS5C468NWF − Wettable Flank Option for Enhanced Optical  
Inspection  
• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  
• These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant  
1
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
J
DFN5 5x6, 1.27P  
(SO−8FL)  
CASE 488AA  
DFNW5 5x6  
(FULL−CUT SO8FL WF)  
CASE 507BA  
Parameter  
Drain−to−Source Voltage  
Symbol  
Value  
40  
Unit  
V
V
DSS  
Gate−to−Source Voltage  
V
GS  
20  
V
Continuous Drain  
Current R  
T
= 25°C  
= 100°C  
= 25°C  
I
35  
A
C
D
MARKING DIAGRAM  
ꢀ
JC  
T
C
25  
(Notes 1, 3)  
Steady  
State  
1
Power Dissipation  
T
C
P
28  
W
A
D
XXXXXX  
AYWZZ  
R
(Note 1)  
ꢀ
JC  
T
C
= 100°C  
14  
Continuous Drain  
Current R  
T = 25°C  
A
I
D
12  
ꢀ
JA  
XXXXXX = Specific Device Code  
T = 100°C  
A
8.7  
3.5  
1.7  
151  
(Notes 1, 2, 3)  
Steady  
State  
A
Y
W
ZZ  
= Assembly Location  
= Year  
= Work Week  
= Lot Traceability  
Power Dissipation  
T = 25°C  
A
P
W
D
R
(Notes 1 & 2)  
ꢀ
JA  
T = 100°C  
A
Pulsed Drain Current  
T = 25°C, t = 10 ꢁ s  
I
DM  
A
A
p
Operating Junction and Storage Temperature  
T , T  
−55 to  
+ 175  
°C  
J
stg  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering, marking and shipping information in the  
package dimensions section on page 5 of this data sheet.  
Source Current (Body Diode)  
I
23  
75  
A
S
Single Pulse Drain−to−Source Avalanche  
E
AS  
mJ  
Energy (I  
= 1.9 A)  
L(pk)  
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
L
260  
°C  
Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the  
device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be  
assumed, damage may occur and reliability may be affected.  
THERMAL RESISTANCE MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
Value  
5.3  
Unit  
Junction−to−Case − Steady State  
Junction−to−Ambient − Steady State (Note 2)  
R
°C/W  
ꢀ
JC  
R
43  
ꢀ
JA  
1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown,  
they are not constants and are only valid for the particular conditions noted.  
2
2. Surface−mounted on FR4 board using a 650 mm , 2 oz. Cu pad.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2017  
1
Publication Order Number:  
April, 2022 − Rev. 1  
NVMFS5C468N/D  
 
12345678

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NVMFS5C468NWFT1G ONSEMI

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 		单 N 沟道，功率 MOSFET，40V，35A，12mΩ
NVMFS5C604NL ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVMFS5C604NL_17 ONSEMI

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 		Power MOSFET
NVMFS5C604NLAFT1G ONSEMI

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NVMFS5C604NLAFT3G ONSEMI

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