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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> NTLUD3191PZTAG
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NTLUD3191PZTAG

更新时间： 2024-09-24 06:00:43
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数 文件大小 规格书
6页 138K
描述
Power MOSFET −20 V, −1.8 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package

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NTLUD3191PZTAG 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：End Of Life
零件包装代码：DFN包装说明：SMALL OUTLINE, S-PDSO-N6
针数：6Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.32
外壳连接：DRAIN配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：1.1 A
最大漏源导通电阻：0.25 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：S-PDSO-N6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：2
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：SQUARE
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：P-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

NTLUD3191PZTAG 数据手册

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NTLUD3191PZ  
Power MOSFET  
−20 V, −1.8 A, mCoolt Dual P−Channel,  
ESD, 1.6x1.6x0.55 mm UDFN Package  
Features  
• UDFN Package with Exposed Drain Pads for Excellent Thermal  
http://onsemi.com  
Conduction  
• Low Profile UDFN 1.6 x 1.6 x 0.55 mm for Board Space Saving  
• ESD  
• This is a Halide Free Device  
• This is a Pb−Free Device  
V
R
MAX  
I MAX  
D
(BR)DSS  
DS(on)  
250 mW @ −4.5 V  
380 mW @ −2.5 V  
500 mW @ −1.8 V  
700 mW @ −1.5 V  
−1.5 A  
−1.0 A  
−0.5 A  
−0.2 A  
−20 V  
Applications  
• High Side Load Switch  
• PA Switch  
• Battery Switch  
D1  
D2  
• Optimized for Power Management Applications for Portable  
Products, such as Cell Phones, PMP, DSC, GPS, and others  
G1  
G2  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise stated)  
J
Parameter  
Drain-to-Source Voltage  
Gate-to-Source Voltage  
Symbol  
Value  
−20  
8.0  
Units  
V
DSS  
V
V
A
S1  
S2  
P−Channel MOSFET  
V
GS  
Continuous Drain  
Current (Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
I
D
−1.4  
−1.0  
−1.8  
0.8  
MARKING  
DIAGRAM  
A
T = 85°C  
A
1
UDFN6  
CASE 517AT  
mCOOLt  
6
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
AC MG  
Power Dissipation  
(Note 1)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
P
D
W
A
G
1
AC= Specific Device Code  
M = Date Code  
t ≤ 5 s  
T = 25°C  
A
1.3  
−1.1  
−0.8  
0.5  
Continuous Drain  
Current (Note 2)  
Steady  
State  
T = 25°C  
A
I
D
G
= Pb−Free Package  
T = 85°C  
A
(Note: Microdot may be in either location)  
Power Dissipation (Note 2)  
Pulsed Drain Current  
T = 25°C  
A
P
D
W
A
tp = 10 ms  
I
−8.0  
DM  
Operating Junction and Storage  
Temperature  
T ,  
STG  
-55 to  
150  
°C  
J
T
Source Current (Body Diode) (Note 2)  
I
S
−1.0  
A
Lead Temperature for Soldering Purposes  
(1/8″ from case for 10 s)  
T
260  
°C  
L
Gate-to-Source ESD Rating  
(HBM) per JESD22−A114F  
ESD  
1000  
V
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1. Surface Mounted on FR4 Board using 1 in sq pad size (Cu area = 1.127 in sq  
[2 oz] including traces).  
(Top View)  
ORDERING INFORMATION  
See detailed ordering and shipping information in the package  
dimensions section on page 5 of this data sheet.  
2. Surface-mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size  
2
of 30 mm , 2 oz. Cu.  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2009  
1
Publication Order Number:  
April, 2009 − Rev. 1  
NTLUD3191PZ/D  
 
123456

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与NTLUD3191PZTAG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
NTLUD3191PZTBG ONSEMI

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 		Power MOSFET −20 V, −1.8 A, Cool Dual P−Channel, ESD, 1.6x1.6x0.55 mm
NTLUD3A260PZ ONSEMI

获取价格

 		Power MOSFET −20 V, −2.1 A,Cool Dual Pâˆ
NTLUD3A260PZTAG ONSEMI

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 		Power MOSFET −20 V, −2.1 A,Cool Dual Pâˆ
NTLUD3A260PZTBG ONSEMI

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 		Power MOSFET −20 V, −2.1 A,Cool Dual Pâˆ
NTLUD3A50PZ ONSEMI

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 		−20 V, −5.6 A, Cool Dual P−Channel, 2
NTLUD3A50PZ_14 ONSEMI

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