是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | LEAD FREE, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
针数: | 8 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.2 | 其他特性: | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 20 V |
最大漏极电流 (ID): | 3.9 A | 最大漏源导通电阻: | 0.06 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码: | R-XDSO-C8 |
JESD-609代码: | e3 | 湿度敏感等级: | NOT SPECIFIED |
元件数量: | 1 | 端子数量: | 8 |
工作模式: | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 极性/信道类型: | P-CHANNEL |
认证状态: | COMMERCIAL | 表面贴装: | YES |
端子面层: | MATTE TIN | 端子形式: | C BEND |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
NTHS5441T1G | ONSEMI | −20 V, −5.3 A, P−Channel ChipFET |
获取价格 |
|
NTHS5443 | ONSEMI | Power MOSFET |
获取价格 |
|
NTHS5443T1 | ONSEMI | Power MOSFET |
获取价格 |
|
NTHS5443T1 | ROCHESTER | 3600mA, 20V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, CASE 1206A-03, CHIPFET-8 |
获取价格 |
|
NTHS5443T1/D | ETC | Power MOSFET P-Channel ChipFET? |
获取价格 |
|
NTHS5443T1G | ONSEMI | Power MOSFET |
获取价格 |