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NSI6651ALC-DSWR

更新时间： 2024-04-09 18:58:26

品牌	Logo	应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
34页	1520K
描述
NSI6651是单通道智能隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管，并为其提供保护，使其安全运行。它可提供分离输出，分别控制上升和下降时间

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NSI6651ALC-DSWR 数据手册

NSI66x1A

Datasheet (EN) 1.1

DC Electrical Characteristics(continued)

All min and max specifications are at T_A=-40°C to 125°C . Typical values are tested at V_CC1=3.3V or 5V, V_CC2=15V or 30V, V_EE2=GND2.

Parameter

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

Condition

IN- Input Current

I_{IN-_L}

-90

μA

V_IN-=GND1

ASC Pin Characteristic (only for NSI6611ASC)

Logic High Input Threshold (ASC)

Logic Low Input Threshold (ASC)

ASC to output rising edge delay

ASC to output falling edge delay

Enable Pin Characteristic

V_ASCH

2.7

1.3

2.9

1.5

3.2

1.7

V_ASCL

t_{ASC_r}

t_{ASC_f}

390

150

560

360

1100

480

RST deglitch filter time for

Enable/Shutdown

t_{min_RST}

Output Pin Characteristic

I_OUT=-200mA, V_IN+=High,

V_IN-=Low

High Level Output Voltage

V_OH

V_OL

R_OH

R_OL

V_CC2-0.6

0.1

I_OUT=200mA, V_IN+=Low,

V_IN-=Low

Low Level Output Voltage

Output pull-up resistance

Output pull-down resistance

I_OUT=-0.1A, V_IN+=High,

V_IN-=Low

2.2

I_OUT=0.1A, V_IN+=Low,

V_IN-=High

0.3

I_CLAMP=1A, V_IN+=Low,

V_IN-=Low

Low Level Clamp Voltage

V_CLAMP

I_OUTH

V_EE2+0.8

High Level Peak Output Current

V_CC2=15V, pulse width<10us

Low Level Peak Output Current

I_OUTL

V_OUT=V_EE2+2.5V

Clamp Threshold Voltage

Calmp Delay

V_CLAMP-TH

t_DCLMP

1.5

2.5

V_CLAMPfalling, V_IN+=Low, V_IN-=Low

V_IN+=High, V_IN-=Low, I_OUTL=0.5A,

pulse width<10us

OUT Short Circuit Clamping Voltage

V_{CLP_OUT}

V_CC2+1.1

V_CC2+2

V_IN+=High, V_IN-=Low, I_OUTH=0.5A,

pulse width<10us

_CC2+1.8

V_CC2+2.5

CLAMP Short Circuit Clamping Voltage

OUT Active Pull-Down Voltage

V_{CLP_CLAMP}

V_CC2+0.8

2.3

V_IN+=High, V_IN-=Low, I_CLAMP=20mA

V_CC2=OPEN, I_OUTL=0.1×I_OUTL(typ)

V_{SD_OUT}

1.5

3.1

Page 7

1...4 5 678 9 10...34

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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NSI6651ASC-Q1SWR	NOVOSENSE	获取价格	NSI6651-Q1是单通道智能隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOS
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