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NSI6651ALC-DSWR

更新时间： 2024-04-09 18:58:26
品牌 Logo 应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE 栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数 文件大小 规格书
34页 1520K
描述
NSI6651是单通道智能隔离式栅极驱动器，旨在驱动许多应用中的IGBT，功率MOSFET和SiC MOSFET等功率晶体管，并为其提供保护，使其安全运行。它可提供分离输出，分别控制上升和下降时间

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NSI6651ALC-DSWR 数据手册

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NSI66x1A  
Datasheet (EN) 1.1  
2. Absolute Maximum Ratings  
Parameters  
Symbol  
VCC2-VEE2  
VCC2-GND2  
VEE2-GND2  
VOUTH, VOUTL, VCLAMP  
TJ  
Min  
-0.3  
Max  
35  
Unit  
Driver Side Supply Voltage  
Driver Side Supply Voltage  
Driver Side Supply Voltage  
Output Signal Voltage - DC  
Operating Junction Temperature  
Storage Temperature  
V
V
-0.3  
35  
-17.5  
0.3  
V
VEE2-0.3  
-40  
VCC2  
V
150  
°C  
°C  
V
Tstg  
-65  
150  
Input Side Supply Voltage  
Input Signal Voltage - DC  
RDY, FLT (Input Side)  
VCC1  
-0.3  
6
VIN+, VIN-, VRST  
VRDY, VF LT  
IF LT , IRDY  
GND1-0.3  
GND1-0.3  
VCC1+0.3  
VCC1  
V
V
FLT and RDY input current  
DESAT (Driver Side)  
20  
mA  
V
VDESAT  
GND2-0.3  
GND2-0.3  
VCC2+0.3  
GND2+6  
ASC (Driver Side)  
VASC  
V
3. ESD Ratings  
Symbol  
VESD_HBM  
VESD_CDM  
Value  
3000  
1500  
Unit  
Human-body model (HBM), per AEC Q100-002(1)  
Charged-device model (CDM), per AEC Q100-011  
V
V
Electrostatic discharge  
1) AEC Q100-002 indicates that HBM stressing shall be in accordance with the ANSI/ESDA/JEDEC JS-001 specification.  
4. Recommended Operating Conditions  
Parameters  
Symbol  
Min  
Max  
125  
Unit  
°C  
V
Ambient Temperature  
Input Side Supply Voltage  
Driver Side Supply Voltage  
Driver Side Supply Voltage  
ASC (Driver Side)  
TA  
-40  
VCC1-GND1  
3
5.5  
VCC2-GND2  
13  
32  
V
VCC2-VEE2  
-
32  
V
VASC  
GND2  
0.7×VCC1  
0
GND2+5  
VCC1  
V
High level input voltage  
Low level input voltage  
IN+,IN-,_R__S_T__/EN (Respect to GND1)  
V
0.3×VCC1  
Copyright © 2023, NOVOSENSE  
Page 4  
 
 
 
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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