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NSD1025E-DHMSR

更新时间： 2024-04-09 18:58:24

品牌	Logo	应用领域
纳芯微 - NOVOSENSE		栅极驱动双极性晶体管驱动器
页数	文件大小	规格书
20页	2106K
描述
NSD1025 是一款双通道、非反相、高速、低侧的栅极驱动器，此产品能够有效地驱动MOSFET/IGBT。为了增加稳定耐用性， NSD1025在输入引脚上增加耐负压 –10V的能力。 NSD10

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NSD1025E-DHMSR 数据手册

NSD1025E

Datasheet (EN) 1.1

5.2 Switching Characteristics

Parameters

Symbol

T_PDLH

T_PDHL

T_R

Min

Typ

Max

Unit

Comments

Input/Enable to output propagation

delay⁽¹⁾

C_LOAD=1.8Nf, low to high transition

C_LOAD=1.8Nf, high to low transition

C_LOAD=1.8nF, VDD=12V

Rise time⁽¹⁾

Fall time⁽¹⁾

T_F

C_LOAD=1.8nF, VDD=12V

Delay matching between two channels

T_DM

INA=INB, OUTA and OUTB at 50%

transition point

Minimum input pulse width that changes

the output state⁽²⁾

T_PW

C_LOAD=1.8nF, VDD=12V

1) See the timing diagrams in Figure 5.1

2) See the timing diagrams in Figure 5.2

5.3 Parameters Measurement Information

Figure 5.1 shows the definition of propagation delay, rise and fall time, while the minimum input pulse width that changes the

output state in depicted in Figure 5.2. Associated test circuit diagram for specification measurements is shown in Figure 5.3.

Figure 5.1 Propagation Delay, rise and fall time

Figure 5.2 Minimum input pulse width that changes the output state

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