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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | Reach Compliance Code： | not_compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.75 |
| 风险等级： | 5.9 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 15 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 40 |
| JEDEC-95代码： | TO-18 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 175 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.36 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 400 MHz |
| 最大关闭时间（toff）： | 50 ns | 最大开启时间（吨）： | 30 ns |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| 2N3576LEADFREE | CENTRAL | 暂无描述 |
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| 2N3578 | NSC | TRANSISTOR,JFET,P-CHANNEL,4.5MA I(DSS),TO-18 |
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| 2N3579 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
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| 2N357A | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | TO-5 |
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| 2N358 | ETC | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 500MA I(C) | TO-5 |
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| 2N3580 | ETC | TRANSISTOR | BJT | PNP | 60V V(BR)CEO | 30MA I(C) | TO-46 |
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