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NP89N055NUK-S18-AY

更新时间： 2022-11-28 01:52:20

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瑞萨 - RENESAS		/
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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NP89N055MUK, NP89N055NUK

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

CAPACITANCE vs. DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

10000

C_iss

1000

C_oss

V_GS= 10 V

I_D= 45 A

Pulsed

V_GS= 0 V

f = 1 MHz

C_rss

–100 –50

100

0.1

100

150

200

100

T_ch- Channel Temperature - °C

V_DS- Drain to Source Voltage - V

SWITCHING CHARACTERISTICS

DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS

1000

100

V_DD= 44 V

28 V

11 V

t_d(off)

t_d(on)

V_GS

t_r

t_f

V_DD= 28 V

_GS= 10 V

_G= 0 Ω

V_DS

I_D= 90 A

0.1

100

I_D- Drain Current - A

Q_G- Gate Charge - nC

SOURCE TO DRAIN DIODE FORWARD VOLTAGE

1000

REVERSE RECOVERY TIME vs.

DRAIN CURRENT

100

V_GS= 10 V

V_GS= 0 V

100

di/dt = 100 A/μs

_GS= 0 V

Pulsed

0.1

0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_F(S-D)- Source to Drain Voltage - V

0.1

100

I_F- Drain Current - A

R07DS0600EJ0100 Rev.1.00

Jan 11, 2012

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