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NP15P04SLG-E1-AY

更新时间： 2024-01-28 18:43:59

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	193K
描述
Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 40V, 0.06ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA, LEAD FREE, MP-3ZK, TO-252, 3 PIN

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NP15P04SLG-E1-AY 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.32
雪崩能效等级（Eas）：	25 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	40 V
最大漏极电流 (ID)：	15 A	最大漏源导通电阻：	0.06 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	45 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	PURE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

NP15P04SLG-E1-AY 数据手册

NP15P04SLG

DRAIN CURRENT vs.

FORWARD TRANSFER CHARACTERISTICS

DRAIN TO SOURCE VOLTAGE

-50

-40

-30

-20

-10

-100

-10

^DS= −10 V

Pulsed

^GS= −10 V

-1

−4.5 V

ch = −55°C

−25°C

25°C

-0.1

75°C

125°C

150°C

175°C

-0.01

-0.001

Pulsed

-0

-1

-2

-3

-4

-5

-1

-2

-3

V^GS- Gate to Source Voltage - V

V^DS- Drain to Source Voltage - V

GATE TO SOURCE THRESHOLD VOLTAGE vs.

CHANNEL TEMPERATURE

FORWARD TRANSFER ADMITTANCE vs.

DRAIN CURRENT

-3

-2.5

-2

100

^ch= −55°C

−25°C

25°C

^DS= V^GS

= −250 μA

75°C

-1.5

-1

125°C

150°C

175°C

-0.5

DS = −10 V

Pulsed

0.1

-75

-25

125

175

225

-0.1

-1

-10

-100

ID - Drain Current - A

T^ch- Channel Temperature - °C

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

DRAIN CURRENT

DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.

GATE TO SOURCE VOLTAGE

Pulsed

= −15 A

−7.5 A

−3 A

GS = −4.5 V

−10 V

Pulsed

-100

-5

-10

-15

-20

-0.1

-1

-10

V^GS- Gate to Source Voltage - V

I^D- Drain Current - A

Data Sheet D19077EJ2V0DS

1 2 345 6 7

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